[發(fā)明專(zhuān)利]單晶/多晶硅片多線切割自動(dòng)脫膠方法及其裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110179343.5
• 申請(qǐng)日: 2011-06-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102275234A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-12-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 汪貴發(fā);蔣建松
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 浙江光益硅業(yè)科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): B28D7/00
• 分類(lèi)號(hào): B28D7/00;H01L21/00;H01L21/02
• 代理公司: 杭州裕陽(yáng)專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 33221
• 代理人: 江助菊

1.一種單晶/多晶硅片多線切割自動(dòng)脫膠裝置，包括粘接于連接板上待脫膠的工件（硅片），其特征在于：還包括一可容納懸置工件（硅片）的承載框架，所述的承載框架包括底板、分別設(shè)置于前側(cè)面、后側(cè)面與定位工件（硅片）配合的擋板，所述的前側(cè)面、后側(cè)面的兩擋板上設(shè)有間隔穿插于工件（硅片）間的定位插條，所述的連接板懸置于承載框架上，所述的粘接于連接板上待脫膠的工件（硅片）底部相對(duì)于底板懸空，所述的底板上鋪設(shè)有工件（硅片）脫膠后下落的緩沖層。

2.如權(quán)利要求1所述的單晶/多晶硅片多線切割自動(dòng)脫膠裝置，其特征在于：所述的承載框架前側(cè)面、后側(cè)面所設(shè)的兩擋板設(shè)有若干對(duì)應(yīng)的插槽，所述的定位插條定位于插槽內(nèi)。

3.如權(quán)利要求1所述的單晶/多晶硅片多線切割自動(dòng)脫膠裝置，其特征在于：所述的承載框架上設(shè)有提把。

4.如權(quán)利要求3所述的單晶/多晶硅片多線切割自動(dòng)脫膠裝置，其特征在于：所述的提把設(shè)置于承載框架的前、后兩端。

5.如權(quán)利要求1所述的單晶/多晶硅片多線切割自動(dòng)脫膠裝置，其特征在于：所述的連接板上設(shè)有把手。

6.一種單晶/多晶硅片多線切割自動(dòng)脫膠的方法，其特征在于：其步驟為

1)將粘接于連接板上待脫膠的工件（硅片）懸掛于一可容納懸置工件（硅片）的承載框架上，并與承載框架前側(cè)面、后側(cè)面分別所設(shè)的工件（硅片）配合的擋板配合，工件（硅片）底部懸空于鋪設(shè)緩沖層的底板上；

2)待脫膠的工件（硅片）懸置于承載框架上后，從工件（硅片）兩側(cè)起，間隔穿插設(shè)置定位插條，定位插條定位于承載框架前側(cè)面、后側(cè)面的兩擋板上；

3)將上一步的懸掛有工件（硅片）的承載框架放入預(yù)沖洗槽，用水噴淋沖洗10~15分鐘至排出水無(wú)黑色污染物；

4)將上一步預(yù)沖洗好的懸掛有工件（硅片）的承載框架放入加熱脫膠槽，在水與乳酸配制的混合液中加熱浸泡并完成自動(dòng)脫膠，脫膠后工件（硅片）下落至底板所鋪設(shè)的緩沖層上。

7.如權(quán)利要求6所述的單晶/多晶硅片多線切割自動(dòng)脫膠的方法，其特征在于：所述的承載框架前側(cè)面、后側(cè)面所設(shè)的兩擋板設(shè)有若干對(duì)應(yīng)的插槽，所述的定位插條定位于插槽內(nèi)。

8.如權(quán)利要求6所述的單晶/多晶硅片多線切割自動(dòng)脫膠的方法，其特征在于：所述的承載框架上設(shè)有提把，所述的提把設(shè)置于承載框架的前、后兩端。

9.如權(quán)利要求6所述的單晶/多晶硅片多線切割自動(dòng)脫膠的方法，其特征在于：所述的連接板上設(shè)有把手。

10.如權(quán)利要求6所述的單晶/多晶硅片多線切割自動(dòng)脫膠的方法，其特征在于：所述的緩沖層為鋪設(shè)于底板上的海綿體。