[發明專利]發光二極管封裝結構及封裝方法

有效

• 申請號: 201110179308.3
• 申請日: 2011-06-29
• 公開（公告）號: CN102856464A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 洪孟賢;曾文良;江信東;陳濱全
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/64;H01L33/62;H01L33/00
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技術領域

本發明涉及一種發光二極管封裝結構以及相應的封裝方法。

背景技術

發光二極管(Light?Emitting?Diode，LED)是一種可將電流轉換成特定波長范圍的光電半導體元件。發光二極管以其亮度高、工作電壓低、功耗小、易與集成電路匹配、驅動簡單、壽命長等優點，從而可作為光源而廣泛應用于照明領域。

在工作過程中，發光二極管會產生較高的熱量。如果發光二極管所產生的熱量不能有效散發到外界，其將會導致發光二極管的溫度升高，從而影響發光二極管的發光性能甚至導致發光二極管損壞。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種具有較好散熱性能的發光二極管封裝結構以及相應的發光二極管封裝方法。

一種發光二極管封裝結構，包括：

基板，該基板包括第一金屬層，第二金屬層以及夾置在第一金屬層和第二金屬層之間的絕緣層，絕緣層上設置有開孔，所述第二金屬層環繞開孔設置且分成第一電連接部和第二電連接部；

發光二極管晶粒，設置在開孔內且與第一金屬層相接觸，發光二極管晶粒的兩電極分別與第一電連接部和第二電連接部連接；以及

封裝材料層，填充在開孔內以覆蓋發光二極管晶粒。

一種發光二極管封裝方法，包括以下步驟：

提供一基板，該基板包括第一金屬層、第二金屬層以及夾置在第一金屬層和第二金屬層之間的絕緣層；

在第二金屬層上設置開孔，該開孔貫通絕緣層并延伸至第一金屬層；

蝕刻第二金屬層，使第二金屬層環繞開孔設置并形成第一電連接部和第二電連接部；

在開孔內設置發光二極管晶粒，發光二極管晶粒的兩電極分別與第一電連接部和第二電連接部連接；

在開孔內填充封裝材料以覆蓋發光二極管晶粒。

在上述發光二極管封裝結構中，發光二極管晶粒直接設置在第一金屬層的表面，因此，發光二極管晶粒在發光過程中所產生的熱量可直接傳遞到第一金屬層上，并快速散發到外界，有利于提高發光二極管封裝體的使用壽命。并且，由于第二金屬層環繞開孔設置，發光二極管晶粒所產生的并傳遞到封裝材料層的熱量可以有效通過第二金屬層散發到外界環境，以防止封裝材料層因受熱而老化，從而對其出光性能造成影響。

下面參照附圖，結合具體實施例對本發明作進一步的描述。

附圖說明

圖1是本發明實施例提供的發光二極管封裝結構的剖面示意圖。

圖2-圖9是圖1中的發光二極管封裝結構的制作過程示意圖。

圖10是本發明另一實施例提供的發光二極管封裝結構的俯視圖。

主要元件符號說明