[發明專利]二極管酸洗脫水工藝及其設備無效
| 申請號: | 201110178578.2 | 申請日: | 2011-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN102244001A | 公開(公告)日: | 2011-11-16 |
| 發明(設計)人: | 徐謙;李偉;戴亮;莊娟梅 | 申請(專利權)人: | 常州佳訊光電產業發展有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/329 | 分類號: | H01L21/329;H01L21/02 |
| 代理公司: | 常州市維益專利事務所 32211 | 代理人: | 何學成 |
| 地址: | 213022 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 二極管 酸洗 脫水 工藝 及其 設備 | ||
1.二極管酸洗脫水工藝,其特征在于,包括如下工序:首先將二極管組件送入化學酸洗段,分別進行3次酸洗,4次沖水,所述的酸洗和沖水交替進行,將沖洗后的二極管組件送入至水超聲清洗段進行超聲清洗;結束后,將二級管組件送入至烘干段,調整烘干段的溫度在40~70℃范圍內,烘干120~180S;烘干后,將二極管組件送入至冷卻段,控制冷卻段的溫度在15~30℃范圍內,將二極管組件冷卻低于30℃,停止冷卻;將冷卻好的二極管組件依次送入至1號異丙醇缸與2號異丙醇缸內進行清洗,結束二極管酸洗脫水工序。
2.根據權利要求1所述的二極管酸洗脫水工藝,其特征在于:所述的3次酸洗分別為1次酸洗、2次酸洗、3次酸洗;
所述的1次酸洗為硝酸、氫氟酸、冰乙酸及硫酸的混合液,按照體積比計,所述的混合液的配比為:硝酸∶氫氟酸∶冰乙酸∶硫酸為9∶9∶12∶4;
所述的2次酸洗為磷酸、雙氧水、純水的混合液,按照體積比計,所述的混合液的配比為:磷酸∶雙氧水∶純水為1∶1∶3;
所述的3次酸洗為氨水、雙氧水、純水的混合液,按照體積比計,所述的混合液的配比為:氨水∶雙氧水∶純水為20∶10∶1。
3.根據權利要求1所述的二極管酸洗脫水工藝,其特征在于:所述的水超聲清洗段,其超聲電流控制在1.5~2A范圍內,純水電阻率控制在≥10MΩ·CM范圍。
4.根據權利要求1所述的二極管酸洗脫水工藝,其特征在于:所述的1號異丙醇電阻率控制在≥10MΩ·CM范圍,所述的2號異丙醇電阻率控制在≥20MΩ·CM范圍。
5.如權利要求1所述的二極管酸洗脫水工藝,其設備,其特征在于:包括依次連接的化學酸洗段、水超聲清洗段、烘干段、冷卻段、1號異丙醇缸和2號異丙醇缸,所述的烘干段設置有紫外燈和溫度開關,所述的紫外燈與溫度開關相連接;所述的冷卻段設置有風扇和風速調節開關,所述的風扇與風速調節開關相連接。
6.根據權利要求1所述的二極管酸洗脫水設備,其特征在于:所述的烘干段,其長度為1~2m。
7.根據權利要求1所述的二極管酸洗脫水設備,其特征在于:所述的冷卻段,其長度為1米。
8.根據權利要求1所述的二極管酸洗脫水設備,其特征在于:所述的1號異丙醇缸與2號異丙醇缸的總長度為2~2.5米。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





