[發(fā)明專利]LED組件、LED封裝體和配線基板及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110176212.1
• 申請日: 2011-06-21
• 公開（公告）號: CN102315364A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 今井升;野口雅弘;伊坂文哉;柴田明司;蘆立讓;鈴木亞季
• 申請（專利權(quán)）人: 日立電線株式會社
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64;H01L33/00
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶;於毓楨

1.一種LED組件，其特征在于，具有：

至少第1面?zhèn)鹊牟ㄩL為450nm的光的全反射率為80％以上的電絕緣材料，貫通所述電絕緣材料的導(dǎo)通孔，

在所述電絕緣材料的第2面?zhèn)仍O(shè)置的配線圖案，以及

在所述導(dǎo)通孔內(nèi)設(shè)置的、與所述配線圖案電導(dǎo)通的金屬填充部；

在所述電絕緣材料的第1面?zhèn)惹宜鼋饘偬畛洳康谋砻嫔辖雍螸ED芯片，并對所述LED芯片進(jìn)行樹脂密封。

2.如權(quán)利要求1所述的LED組件，其特征在于，所述電絕緣材料的第1面?zhèn)葹榘咨?/p>

3.如權(quán)利要求1或2所述的LED組件，其特征在于，所述電絕緣材料至少包含白色絕緣材料、基材、粘接材料，或者至少包含白色基材、粘接材料。

4.如權(quán)利要求3所述的LED組件，其特征在于，所述基材或者白色基材含有聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、環(huán)氧樹脂、芳香族聚酰胺中的任意一種樹脂。

5.如權(quán)利要求3或4所述的LED組件，其特征在于，所述基材或者白色基材的厚度為4μm以上75μm以下。

6.如權(quán)利要求1～5中任一項所述的LED組件，其特征在于，所述金屬填充部在前端具有0.1mm以上的平坦部。

7.如權(quán)利要求1～6中任一項所述的LED組件，其特征在于，所述金屬填充部利用電鍍銅而形成。

8.如權(quán)利要求1～7中任一項所述的LED組件，其特征在于，在所述金屬填充部的前端施加含有金、銀、鈀、鎳、錫中的任意一種元素的鍍層。

9.如權(quán)利要求1～8中任一項所述的LED組件，其特征在于，所述金屬填充部的截面形狀為：在從所述電絕緣材料的表面突出的部分中，具有比所述導(dǎo)通孔大的部分。

10.一種LED封裝體，其特征在于，以含有1個以上LED芯片的單位，將權(quán)利要求1～9所述的LED組件進(jìn)行單片化。

11.一種配線基板，其特征在于，具有：

至少第1面?zhèn)鹊牟ㄩL為450nm的光的全反射率為80％以上的電絕緣材料，貫通所述電絕緣材料的導(dǎo)通孔，

在所述電絕緣材料的第2面?zhèn)仍O(shè)置的銅配線圖案，以及

在所述導(dǎo)通孔內(nèi)、與所述銅配線圖案電導(dǎo)通的金屬填充部；

就所述電絕緣材料的第1面?zhèn)榷裕鼋饘偬畛洳繌乃鲭娊^緣材料露出。

12.如權(quán)利要求11所述的配線基板，其特征在于，所述電絕緣材料的第1面?zhèn)葹榘咨?/p>

13.如權(quán)利要求11或12所述的配線基板，其特征在于，所述電絕緣材料至少包含白色絕緣材料、基材、粘接材料，或者至少包含白色基材、粘接材料。

14.如權(quán)利要求13所述的配線基板，其特征在于，所述基材或者白色基材含有聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、環(huán)氧樹脂、芳香族聚酰胺中的任意一種樹脂。

15.如權(quán)利要求13或14所述的配線基板，其特征在于，所述基材或白色基材的厚度為4μm以上75μm以下。

16.如權(quán)利要求11～15中任一項所述的配線基板，其特征在于，所述金屬填充部在前端具有0.1mm以上的平坦部。

17.如權(quán)利要求11～16中任一項所述的配線基板，其特征在于，所述金屬填充部利用電鍍銅而形成。

18.如權(quán)利要求11～17中任一項所述的配線基板，其特征在于，在所述金屬填充部的前端施加含有金、銀、鈀、鎳、錫中的任意一種元素的鍍層。

19.如權(quán)利要求11～18中任一項所述的配線基板，其特征在于，所述金屬填充部的截面形狀為：在從所述電絕緣材料的表面突出的部分中，具有比所述導(dǎo)通孔大的部分。

20.權(quán)利要求11～19中任一項所述的配線基板的制造方法，其特征在于，依次進(jìn)行以下工序：

在所述電絕緣材料上形成所述導(dǎo)通孔的工序；

在所述電絕緣材料的第2面?zhèn)葘訅航饘俨墓ば颍灰约?/p>

從所述電絕緣材料的第1面?zhèn)刃纬伤鼋饘偬畛洳康墓ば颉?!-- SIPO -->