[發明專利]光電轉換裝置、光電轉換裝置的封裝結構和制造方法無效
| 申請號: | 201110175588.0 | 申請日: | 2011-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN102299162A | 公開(公告)日: | 2011-12-28 |
| 發明(設計)人: | 二瓶泰英 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L27/148 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 陳桂香;武玉琴 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電 轉換 裝置 封裝 結構 制造 方法 | ||
相關申請的交叉參考
本申請包含與2010年6月28日向日本專利局提交的日本優先權專利申請JP?2010-146028中所公開的內容相關的主題,因此將該日本優先權申請的全部內容以引用的方式并入本文。
技術領域
本發明涉及一種確保具有簡單結構和優良遮光性,并且能夠實現小尺寸(高度、厚度)化和低成本化的光電轉換裝置,本發明還涉及這種光電轉換裝置的封裝結構和這種光電轉換裝置的制造方法。
背景技術
裝有小尺寸相機模塊(其包括諸如鏡頭等光學部和固體攝像元件)的例如手機、個人數字助理(personal?digital?assistance,PDA)、筆記本電腦等移動設備已被廣泛地使用。對于安裝在這些移動設備上的相機模塊來說,進一步減小尺寸(高度、厚度)并降低成本是人們所期望的。
通常,該相機模塊包括:形成有例如電荷耦合器件(Charge?Coupled?Device,CCD)或互補型金屬氧化物半導體(Complementary?Metal-Oxide?Semiconductor,CMOS)等固體攝像元件的圖像傳感器芯片;以及用于在該圖像傳感器芯片的受光面上形成被攝物體圖像的攝像透鏡(光學透鏡)。
為了減小圖像傳感器封裝的尺寸和重量,采用的是例如在晶片級上對圖像傳感器芯片進行封裝的晶片級芯片尺寸封裝(wafer?level?chip?size?package,W-CSP)系統。形成有大量圖像傳感器芯片的晶片被稱為例如傳感器晶片。
攝像透鏡能夠被制造成例如包括單個或多個基板的晶片級透鏡。晶片級透鏡具有形成有大量透鏡(透鏡元件)的單個基板(晶片)或者具有多個相互疊置的這種基板。晶片級透鏡形成有多個均具有單個或多個透鏡的攝像透鏡。
形成有大量圖像傳感器芯片和晶片級透鏡的傳感器晶片彼此接合在一起,并且隨后對該接合體進行分割,從而獲得分別含有圖像傳感器芯片和攝像透鏡的模塊(晶片級相機模塊)。
迄今為止,關于相機模塊的結構和制造方法已經做了大量的報告(例如參見下列的九個專利文獻和一個非專利文獻)。
專利文獻:
1.日本專利公開公報第2002-290842號(第0011段,圖1至圖3);
2.日本專利公開公報第2006-228837號(第0013段,圖1);
3.日本專利公開公報第2008-508545號(第0021段至第0022段,第0031段至第0042段,圖1至圖5);
4.日本專利公開公報第2008-512851號(權利要求18,圖3至圖6);
5.日本專利公表公報第JP-T-2009-512346號(第0008段至第0010段,圖18);
6.日本專利公開公報第2010-2921號(第0048段至第0060段,圖12);
7.日本專利公開公報第2010-45162號(權利要求5,第0048段至第0057段,圖4);
8.日本專利公開公報第2010-45650號(第0009段至第0028段,圖1至圖3);
9.日本專利公開公報第2010-11230號(第0018段至第0021段,第0033段至第0039段,圖1至圖3),下文中稱為專利文獻9。
非專利文獻:
1.TESSERA,“Wafer-Level?Optics(晶片級光學)”,檢索于2010年03月03日,因特網網址為http://www.tessera.com/technologies/imagingandoptics/Pages)。
名稱為“相機模塊”的專利文獻9包含了以下記載內容。
本發明中的圖10(即專利文獻9中的圖3)是示意性地示出了相關技術的相機模塊的結構的截面圖。該相機模塊主要由固體攝像裝置330和包括光學透鏡的透鏡單元320構成。固體攝像裝置330是晶片級芯片尺寸封裝結構的圖像傳感器,在固體攝像裝置330中,設置有貫穿電極305和焊球306,并且在固體攝像裝置330中,在具有形成在半導體基板310的表面處的成像區域308的芯片上設置有透明板狀部件304。另外,在成像區域308內形成有大量的微透鏡(未圖示),并且各個微透鏡是由受光元件形成的。透鏡元件303起到了在固體攝像裝置330的成像區域308中形成圖像的作用。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





