[發明專利]光電轉換裝置、光電轉換裝置的封裝結構和制造方法

無效

• 申請號: 201110175588.0
• 申請日: 2011-06-24
• 公開（公告）號: CN102299162A
• 公開（公告）日: 2011-12-28
• 發明（設計）人: 二瓶泰英
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L27/148
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;武玉琴

1.光電轉換裝置的制造方法，其包括：

第一步驟：在半導體晶片的一側表面上形成多個光電轉換區域；

第二步驟：制備具有插入開口部的遮光晶片，每個所述插入開口部被形成得能夠至少從所述遮光晶片的一側將光學元件插入到所述插入開口部中，并且各所述插入開口部分別對應于各所述光電轉換區域；

第三步驟：以各所述光電轉換區域與各所述插入開口部彼此對應的方式，將所述半導體晶片的所述一側表面與所述遮光晶片的所述一側表面的相反側表面彼此接合，由此形成接合晶片體；以及

第四步驟：在各所述光電轉換區域的周圍處對所述接合晶片體進行分割，獲得具有所述光電轉換區域的接合體芯片。

2.根據權利要求1所述的光電轉換裝置的制造方法，其中，所述遮光晶片是由碳或樹脂形成的晶片。

3.根據權利要求1所述的光電轉換裝置的制造方法，其中，

所述遮光晶片是通過層疊并接合多個單元晶片而獲得的晶片，每個所述單元晶片形成有所述插入開口部且由碳或樹脂形成，并且

所述制造方法在所述第三步驟之前包括將所述光學元件插入到所述插入開口部中的步驟。

4.根據權利要求1所述的光電轉換裝置的制造方法，還包括如下步驟：在所述第三步驟之前，在所述半導體晶片的所述一側表面的相反側表面上和/或所述遮光晶片的所述一側表面上接合補強板。

5.根據權利要求1所述的光電轉換裝置的制造方法，其中，在所述第二步驟中在所述遮光晶片的如下部位處形成有貫穿所述遮光晶片的孔：所述遮光晶片的該部位是在所述第四步驟中對所述接合晶片體進行分割時的部位，且所述遮光晶片的該部位鄰近于所述遮光晶片的所述插入開口部。

6.根據權利要求1所述的光電轉換裝置的制造方法，其中，在所述第三步驟中進行所述半導體晶片與所述遮光晶片間的對準，使得所述半導體晶片的各所述光電轉換區域與所述遮光晶片的各所述插入開口部彼此對應。

7.根據權利要求1所述的光電轉換裝置的制造方法，其中，所述半導體晶片的所述一側表面和所述遮光晶片的所述相反側表面分別形成有配合部以實現所述半導體晶片與所述遮光晶片間的配合，然后在所述第三步驟中將所述半導體晶片與所述遮光晶片彼此配合。

8.根據權利要求1所述的光電轉換裝置的制造方法，還包括如下步驟：在所述第四步驟之前或之后，將所述光學元件插入到所述插入開口部中。

9.根據權利要求8所述的光電轉換裝置的制造方法，其中，在將所述光學元件插入的所述步驟之前，各個所述光學元件設置有開孔構件，所述開孔構件包括有允許透光的透光開孔部和用于限制除了所述透光開孔部之外的其它區域的透光的透光限制部。

10.根據權利要求1所述的光電轉換裝置的制造方法，還包括如下步驟：在所述第四步驟之前將所述光學元件插入到所述插入開口部中；

在該步驟中，在將所述光學元件插入到所述插入開口部中之后，在所述遮光晶片的所述一側表面上接合遮光片，所述遮光片是限定了透光區域的光學片，所述光學片包括有透光開孔部和透光限制部，各所述透光開孔部以與所述遮光晶片的各所述插入開口部對應的方式形成，并且各所述透光開孔部允許透光，所述透光限制部限制除了各所述透光開孔部之外的其它區域的透光。

11.根據權利要求1所述的光電轉換裝置的制造方法，還包括如下步驟：在所述第四步驟之前或之后，將支撐有所述光學元件的光學鏡筒插入到所述插入開口部中。

12.根據權利要求11所述的光電轉換裝置的制造方法，其中，在將各所述光學鏡筒插入到各所述插入開口部中的所述步驟之前，被支撐于所述光學鏡筒中的所述光學元件均設置有開孔構件，所述開孔構件包括有允許透光的透光開孔部和用于限制除了所述透光開孔部之外的其它區域的透光的透光限制部。