[發明專利]一種太陽能電池生產中去除單晶硅片上手指印的方法

無效

• 申請號: 201110171006.1
• 申請日: 2011-06-23
• 公開（公告）號: CN102842641A
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發明（設計）人: 劉萬學;張兵;劉志堅;侯麗艷;劉海濤
• 申請（專利權）人: 吉林慶達新能源電力股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;B08B3/08;B08B11/00
• 代理公司: 吉林省長春市新時代專利商標代理有限公司 22204
• 代理人: 石岱

技術領域

本發明涉及一種太陽能電池生產過程中單晶硅片的清洗工藝，具體的說是一種能夠干凈有效的清洗掉單晶硅片來料時硅片上手指印的方法。

背景技術

我國對太陽能電池的研究開發工作高度重視,早在七五期間,非晶硅半導體的研究工作已經列入國家重大課題；八五和九五期間,我國把研究開發的重點放在大面積太陽能電池等方面。2003年10月，國家發改委、科技部制定出未來5年太陽能資源開發計劃，發改委光明工程將籌資100億元用于推進太陽能發電技術的應用，計劃到2015年全國太陽能發電系統總裝機容量達到300兆瓦。?我國已成為全球光伏產品最大制造國，我國即將出臺的《新能源振興規劃》，我國光伏發電的裝機容量規劃為2020年達到20GW，是原來《可再生能源中長期規劃》中1.8GW的10多倍。

太陽能電池的應用已從軍事領域、航天領域進入工業、商業、農業、?通信、家用電器以及公用設施等部門，尤其可以分散地在邊遠地區、高山、沙漠、海島和農村使用，以節省造價很貴的輸電線路。

目前，現有的單晶硅太陽能電池生產中，通常對單晶硅片進行清洗的方法是采用漂洗→制絨→漂洗→氫氟酸→漂洗→鹽酸→漂洗→噴淋→甩干這種流程工藝。現有的單晶硅片由于各個廠家制做工藝不同，以及在各個生產環節上控制的不良，經常導致手指印在單晶硅片上殘留，采用上述傳統的生產工藝無法去除掉單晶硅片上殘留的手指印，而上述原因造成的硅片不干凈，將直接影響產品的A品率。

發明內容

本發明的目的是為了解決上述現有技術的不足，提供一種一種太陽能電池生產中去除單晶硅片上手指印的方法，該方法能夠徹底去除掉不同生產廠家不同工藝生產的單晶硅片上產生的手指印殘留，而且不影響單晶硅片本身的各項指標，并且能夠使制絨得到良好的絨面，縮短制絨工藝時間，減少制絨所需藥量，經上述步驟清洗后單晶硅片表面清潔度符合生產中A類片標準。

本發明的目的是這樣實現的，該方法包括以下步驟：

①、配液，在容積為150-180升的工藝槽中加入150-160升的去離子水，工藝槽中的水溫加熱并保持在15～25度左右；然后開始進行各種化學品的配制，加入HF（電子級）16升，用PP材質長棒均勻攪拌，得到配液待用。

②、清洗，將規格為125*125單晶硅片放入承載盒中，將多個承載盒依次裝入大花藍中作為一個批次，要求每個批次單晶硅片的數量在300片—400片之間，最后將裝有單晶硅片的大花藍放入裝有①中配液的工藝槽中，浸泡時間控制在200～300秒左右，取出大花藍中的單晶硅片完成清洗過程。

③、正常生產不間斷的情況下，首次配液后可連續生產40～50批次。

本發明的優點是：

1、本發明方法是在單晶硅制絨前段加入新的清洗工藝，主要目的是去除來料硅片由于在生產中產生的手指印殘留問題，其原理是通過HF對硅片表面與空氣產化氧化層，即SiO₂層的去除，來達到去除因生產單晶硅片過程中控制不良造成的手指印在單晶硅片上的殘留，因手指印等有機成份都浮著在SiO₂層上，通過對SiO₂層的去除，使浮著在SiO₂層上的手指印等有機物成分隨之剝離，其反應方程式是：4HF+SiO₂=SiF₄+2H₂O，從而達到了去除手指印的目的。

2、本發明合理的分析出單晶硅片產生手指印的原因，并通過HF在一定的溫度與濃度情況下，對SiO₂層進行有效的去除，使殘留在SiO₂層上的手指印等有機物得到有效的去除，這樣大大縮短后期的制絨時間，也可使后期的絨面均勻，出絨效果好，產品A片率提高。

具體實施方式

實施例1：

①、配液，在容積為150升的工藝槽中加入150升的去離子水，工藝槽中的水溫加熱并保持在15度左右；然后開始進行各種化學品的配制，加入HF（電子級）16升，用PP材質長棒均勻攪拌，得到配液待用。

②、清洗，將規格為125*125單晶硅片放入承載盒中，將多個承載盒依次裝入大花藍中作為一個批次，要求每個批次單晶硅片的數量在300片，最后將裝有單晶硅片的大花藍放入裝有①中配液的工藝槽中，浸泡時間控制在200秒左右，取出大花藍中的單晶硅片完成清洗過程。

③、正常生產不間斷的情況下，首次配液后可連續生產40批次。

實施例2：