[發明專利]一種太陽能電池生產中去除單晶硅片上手指印的方法無效
| 申請號： | 201110171006.1 | 申請日： | 2011-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN102842641A | 公開（公告）日： | 2012-12-26 |
| 發明（設計）人： | 劉萬學;張兵;劉志堅;侯麗艷;劉海濤 | 申請（專利權）人： | 吉林慶達新能源電力股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;B08B3/08;B08B11/00 |
| 代理公司： | 吉林省長春市新時代專利商標代理有限公司 22204 | 代理人： | 石岱 |
| 地址： | 136001 吉林*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 太陽能電池 生產 去除 單晶硅 上手 指印 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種太陽能電池生產中去除單晶硅片上手指印的方法，其特征在于：該方法包括以下步驟：
①、配液，在容積為150-180升的工藝槽中加入150-160升的去離子水，工藝槽中的水溫加熱并保持在15～25度；然后開始進行各種化學品的配制，加入電子級HF?16升，用PP材質長棒均勻攪拌，得到配液待用；
②、清洗，將規格為125*125單晶硅片放入承載盒中，將多個承載盒依次裝入大花藍中作為一個批次，要求每個批次單晶硅片的數量在300片—400片之間，最后將裝有單晶硅片的大花藍放入裝有①中配液的工藝槽中，浸泡時間控制在200～300秒，取出大花藍中的單晶硅片完成清洗過程。
2.根據權利要求1所述的一種太陽能電池生產中去除單晶硅片上手指印的方法，其特征在于：在生產不間斷的情況下，首次配液后可連續生產40～50批次。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
