[發(fā)明專利]一種有效收集襯底電流的LDMOS制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110170838.1
• 申請(qǐng)日: 2011-06-23
• 公開（公告）號(hào): CN102222620A
• 公開（公告）日: 2011-10-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顧學(xué)強(qiáng);肖慧敏;王言虹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海集成電路研發(fā)中心有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種有效收集襯底電流的LDMOS制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

采用隔離工藝，形成有源區(qū)和場(chǎng)區(qū)；

在所述有源區(qū)中進(jìn)行摻雜注入形成N型漂移區(qū)和P型體區(qū)，所述N型漂移區(qū)與P型體區(qū)相鄰；

沉積柵極介質(zhì)層，并刻蝕形成柵極區(qū)，所述柵極區(qū)跨設(shè)于所述P型體區(qū)與N型漂移區(qū)上方；

在所述P型體區(qū)中進(jìn)行低摻雜形成源區(qū)和體引出區(qū)，在所述N型漂移區(qū)中進(jìn)行低摻雜形成漏區(qū)，所述源區(qū)與所述體引出區(qū)交替相鄰排列于P型體區(qū)中。

2.如權(quán)利要求1所述的有效收集襯底電流的LDMOS制備方法，其特征在于，在形成所述源區(qū)、體引出區(qū)和漏區(qū)的步驟之后，還包括以下步驟：在所述柵極區(qū)、源區(qū)、漏區(qū)以及體引出區(qū)上分別形成用于引出的若干接觸孔。

3.如權(quán)利要求1所述的有效收集襯底電流的LDMOS制備方法，其特征在于，在沉積形成柵極區(qū)介質(zhì)層步驟中，還包括以下步驟：進(jìn)行LDD自對(duì)準(zhǔn)注入，并在所述柵極區(qū)兩側(cè)沉積側(cè)墻氧化物層，刻蝕以形成柵極區(qū)氧化物側(cè)墻。

4.如權(quán)利要求1所述的有效收集襯底電流的LDMOS制備方法，其特征在于，所述源區(qū)、體引出區(qū)均通過柵極區(qū)與所述漏區(qū)分隔開。

5.如權(quán)利要求1所述的有效收集襯底電流的LDMOS制備方法，其特征在于，所述源區(qū)、體引出區(qū)相鄰的邊界相接，非相鄰的邊界相應(yīng)對(duì)齊。

6.如權(quán)利要求1所述的有效收集襯底電流的LDMOS制備方法，其特征在于，所述柵極區(qū)的邊界與所述源區(qū)、體引出區(qū)相接或部分重合。

7.如權(quán)利要求1所述的有效收集襯底電流的LDMOS制備方法，其特征在于，所述源區(qū)與所述漏區(qū)為N型摻雜注入?yún)^(qū)，所述體引出區(qū)為P型摻雜注入?yún)^(qū)。

8.如權(quán)利要求1所述的有效收集襯底電流的LDMOS制備方法，其特征在于，所述隔離工藝為局部氧化工藝或者淺槽隔離工藝。

9.如權(quán)利要求1所述的有效收集襯底電流的LDMOS制備方法，其特征在于，所述接觸孔的面積與源區(qū)、體引出區(qū)的面積相適配。