[發明專利]寬輸出范圍的轉換系統有效
| 申請號: | 201110170490.6 | 申請日: | 2011-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN102323844A | 公開(公告)日: | 2012-01-18 |
| 發明(設計)人: | 鄭彥誠;黃健群 | 申請(專利權)人: | 旭曜科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/56 | 分類號: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 王一斌;王琦 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 輸出 范圍 轉換 系統 | ||
1.一種寬輸出范圍的轉換系統,其特征在于,該寬輸出范圍的轉換系統包含:
一第一NMOS晶體管,所述第一NMOS晶體管的柵極連接一輸入端用以接收一輸入信號,源極連接至一第一位準電壓,其中,所述輸入信號具有所述第一位準電壓及一第二位準電壓;
一第一PMOS晶體管,所述第一PMOS晶體管的柵極連接所述輸入端以接收所述輸入信號,源極連接至所述第二位準電壓;
一第二PMOS晶體管,所述第二PMOS晶體管的漏極連接至所述第一NMOS晶體管的漏極,源極連接至一第三位準電壓;
一第二NMOS晶體管,所述第二NMOS晶體管的漏極連接至所述第一PMOS晶體管的漏極,源極連接至一第四位準電壓;
一第三PMOS晶體管,所述第三PMOS晶體管的柵極連接至所述第二PMOS晶體管的漏極,源極連接至所述第三位準電壓,漏極連接至所述第二PMOS晶體管的柵極;以及
一第三NMOS晶體管,所述第三NMOS晶體管的柵極連接至所述第二NMOS晶體管的漏極,源極連接至所述第四位準電壓,漏極連接至所述第二NMOS晶體管的柵極,并連接至所述第三PMOS晶體管的漏極用以作為一輸出端;
所述第一位準電壓值小于所述第二位準電壓值,所述第二位準電壓值小于所述第三位準電壓值,所述第四位準電壓值小于所述第一位準電壓值。
2.如權利要求1所述的寬輸出范圍的轉換系統,其特征在于,當輸入信號由所述第一位準電壓轉換到所述第二位準電壓時,所述第一NMOS晶體管開啟而所述第一PMOS晶體管為關閉,所述第二PMOS晶體管的漏極的電壓逐漸拉低至所述第一位準電壓,以及同時開啟所述第三PMOS晶體管,用以拉高所述輸出端處的電壓,導致所述第二NMOS晶體管開啟,使得所述第二NMOS晶體管的漏極的電壓拉低至所述第四位準電壓,用以將所述第三NMOS晶體管關閉,并使所述輸出端的電壓拉高至所述第三位準電壓。
3.如權利要求2所述的寬輸出范圍的轉換系統,其特征在于,當所述輸出端的電壓拉高至所述第三位準電壓時,所述第二PMOS晶體管為關閉。
4.如權利要求1所述的寬輸出范圍的轉換系統,其特征在于,當所述輸入信號由所述第二位準電壓轉換到所述第一位準電壓時,所述第一NMOS晶體管為關閉,以及所述第一PMOS晶體管為開啟,所述第二NMOS晶體管的漏極的電壓逐漸拉高至所述第二位準電壓,以及同時開啟所述第三NMOS晶體管,用以拉低所述輸出端處的電壓,進而導致所述第二PMOS晶體管開啟,使得所述第二PMOS晶體管的漏極處的電壓拉高至所述第三位準電壓,將使所述第三PMOS晶體管為關閉,并使所述輸出端的電壓拉低至所述第四位準電壓。
5.如權利要求4所述的寬輸出范圍的轉換系統,其特征在于,當輸出端的電壓拉低至所述第四位準電壓時,所述第二NMOS晶體管為關閉。
6.一種寬輸出范圍的轉換系統,其特征在于,該寬輸出范圍的轉換系統包含:
一第一NMOS晶體管,所述第一NMOS晶體管的柵極連接一輸入端用以接收一輸入信號,源極連接至一第一位準電壓,其中,所述輸入信號具有所述第一位準電壓及一第二位準電壓;
一第一PMOS晶體管,所述第一PMOS晶體管的柵極連接所述輸入端以接收所述輸入信號,源極連接至所述第二位準電壓;
一第二PMOS晶體管,所述第二PMOS晶體管的漏極連接至所述第一NMOS晶體管的漏極,源極連接至一第三位準電壓;
一第二NMOS晶體管,所述第二NMOS晶體管的漏極連接至所述第一PMOS晶體管的漏極,源極連接至一第四位準電壓;
一第三PMOS晶體管,所述第三PMOS晶體管的柵極連接至所述第二PMOS晶體管的漏極,源極連接至所述第三位準電壓,漏極連接至所述第二NMOS晶體管的柵極;
一阻抗電路,所述阻抗電路的一第一端連接至所述第三PMOS晶體管的漏極;以及
一第三NMOS晶體管,所述第三NMOS晶體管的柵極連接至所述第二NMOS晶體管的漏極,源極連接至所述第四位準電壓,漏極分別連接至所述第二PMOS晶體管的柵極與所述阻抗電路的一第二端;
所述第一位準電壓值小于所述第二位準電壓值,所述第二位準電壓值小于所述第三位準電壓值,所述第四位準電壓值小于所述第一位準電壓值。
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