[發明專利]一種透明導電膜玻璃及其制備方法

有效

• 申請號: 201110168960.5
• 申請日: 2011-06-22
• 公開（公告）號: CN102837467A
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發明（設計）人: 董清世;張明君
• 申請（專利權）人: 信義光伏產業（安徽）控股有限公司
• 主分類號: B32B17/06
• 分類號: B32B17/06;B32B9/04;C03C17/34;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張全文

1.一種透明導電膜玻璃，包括依次疊加設置的玻璃基片、多層減反射膜層、透明導電膜層。

2.根據權利要求1所述的透明導電膜玻璃，其特征在于：所述多層減反射膜層包括依次疊加設置的第一TiO₂膜層、第一SiO₂膜層、第二TiO₂膜層和第二SiO₂膜層，所述第一TiO₂膜層與所述玻璃基片連接，所述第二SiO₂膜層與所述透明導電膜層連接。

3.根據權利要求2所述的透明導電膜玻璃，其特征在于：所述第一TiO₂膜層的厚度為20nm～70nm；所述第一SiO₂膜層的厚度為30nm～110nm；所述第二TiO₂膜層的厚度為20nm～70nm；所述第二SiO₂膜層的厚度為30nm～110nm。

4.根據權利要求1所述的透明導電膜玻璃，其特征在于：所述透明導電膜層為ITO膜層或/和AZO膜層。

5.根據權利要求1或2所述的透明導電膜玻璃，其特征在于：所述透明導電膜層的厚度為600nm～1500nm。

6.一種透明導電膜玻璃制備方法，包括如下步驟：

獲取玻璃基片；

在所述玻璃基片上依次鍍多層減反射膜層；

在所述減反射膜層的與所述玻璃基片相對面上鍍透明導電膜層，得到所述透明導電膜玻璃。

7.根據權利要求6所述的透明導電膜玻璃制備方法，其特征在于：所述多層減反射膜層包括依次疊加設置的TiO₂膜層、第一SiO₂膜層、TiO₂膜層和第二SiO₂膜層，所述TiO₂膜層與所述玻璃基片連接，所述第二SiO₂膜層與所述透明導電膜層連接；所述鍍減反射膜層的方法為：在所述玻璃基片上依次鍍TiO₂膜層、第一SiO₂膜層、TiO₂膜層和第二SiO₂膜層。?

8.根據權利要求6或7所述的透明導電膜玻璃制備方法，其特征在于：所述鍍減反射膜層和/或鍍透明導電膜層的方式是采用真空磁控濺射方式。

9.根據權利要求8所述的透明導電膜玻璃制備方法，其特征在于：所述鍍減反射膜層的過程中，將所述玻璃基片的溫度升至200℃～370℃。

10.根據權利要求8或9所述的透明導電膜玻璃制備方法，其特征在于，鍍所述第一TiO₂膜層和第二TiO₂膜層的真空磁控濺射工藝條件為：真空度1.0×10^-3mbar～2.1×10^-3mbar，濺射功率60kw～140kw，Ar∶O₂的體積比為300∶40；鍍所述第一SiO₂膜層和第二SiO₂膜層的真空磁控濺射工藝條件為：真空度1.2×10^-3mbar～2.0×10^-3mbar，濺射功率10kw～40kw，Ar∶O₂的體積比為200∶200。?