[發明專利]柔性扁平電纜及其制造方法、柔性印刷基板及其制造方法無效
| 申請號: | 201110168314.9 | 申請日: | 2011-06-16 |
| 公開(公告)號: | CN102332332A | 公開(公告)日: | 2012-01-25 |
| 發明(設計)人: | 藤戶啟輔;辻隆之 | 申請(專利權)人: | 日立電線株式會社 |
| 主分類號: | H01B7/08 | 分類號: | H01B7/08;H01B5/02;H01B13/00;H05K3/10 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 鐘晶;於毓楨 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 扁平 電纜 及其 制造 方法 印刷 | ||
技術領域
本發明涉及柔性扁平電纜、柔性印刷基板、柔性扁平電纜的制造方法以及柔性印刷基板的制造方法。本發明特別涉及具有含錫合金的導電層的柔性扁平電纜、柔性印刷基板、柔性扁平電纜的制造方法以及柔性印刷基板的制造方法。
背景技術
近年的電氣設備中使用很多信號線。而且,在向電氣設備中有動作的部件發送信號時,該部件和向該部件發送信號的部件通過具有可撓性的柔性扁平電纜(FFC)或柔性印刷基板(FPC)來連接。而且,在FFC和FPC的配線材料的表面設置了用于防止配線材料的氧化、腐蝕等的錫、銀、金、鎳等鍍層。此處,由于錫柔軟,施加壓力時容易變形。因此,在雄雌端子的配線層上施加錫鍍層時,由于雄端子和雌端子的嵌合,使得錫鍍層變形,從而增加雄端子和雌端子的接觸面積。由于這樣能夠降低接觸電阻,因此在配線材料的表面施加錫鍍層被廣泛實施。此處,在配線表面設置含錫的鍍層時,從該鍍層會析出被稱作“晶須”的針狀晶體,有可能使具有該鍍層的配線與其他配線發生短路。
于是,以往已知有:在導電體部件的電氣接線部分施加厚度0.2μm以上、不足1.0μm的錫鍍層后,通過熱處理使錫鍍層的錫和導電體的合金層的比率為50%以上的導電體部件的制造方法(例如,參照專利文獻1)。
專利文獻1中記載的導電體部件的制造方法由于在錫的熔點以上的溫度實施熱處理從而形成錫的合金層,因此能夠減少作為晶須的產生源的錫層的量,從而能夠在無鉛時減少晶須的產生。
專利文獻1:日本特開2006-127939號公報
發明內容
但是,專利文獻1中記載的導電體部件的制造方法由于在錫的熔點以上的溫度實施熱處理,因此通過錫的再結晶化會產生晶粒大的錫,這種情況下,無法充分緩和在導電體內部產生的應力,從而有可能難以控制晶須的產生。
因此,本發明的目的在于,提供一種能夠抑制晶須產生的柔性扁平電纜、柔性印刷基板、柔性扁平電纜的制造方法以及柔性印刷基板的制造方法。
為了達成上述目的,本發明提供一種柔性扁平電纜,其具備:具有由銅或銅合金構成的導電性基材和設置于前述導電性基材表面的導電層的導體、設置于前述導體上方的第1絕緣層以及設置于前述導體下方的第2絕緣層。前述導電層由在前述導電性基材上形成的銅-錫金屬間化合物層以及在該銅-錫金屬間化合物層上形成的殘余錫層構成,所述殘余錫層至少包含由錫和鉍構成的錫-鉍固溶體、錫和不可避免的雜質。
另外,就上述柔性扁平電纜而言,錫-鉍固溶體優選含有3質量%以下的鉍。
另外,就上述柔性扁平電纜而言,殘余錫層優選進一步含有未完全固溶而析出的鉍晶體。
另外,就上述柔性扁平電纜而言,導電層中含有的錫-鉍固溶體使用X射線衍射裝置測定的該錫-鉍固溶體的晶格常數優選為,a軸在0.584nm以上0.585nm以下的范圍內,c軸在0.3185nm以上0.32nm以下的范圍內。
另外,就上述柔性扁平電纜而言,導電層中含有的前述錫-鉍固溶體使用X射線衍射裝置測定的該錫-鉍固溶體的晶胞體積優選在0.1085nm3以上0.109nm3以下的范圍內。
另外,為了達成上述目的,本發明提供一種柔性印刷基板,其具備:第1絕緣膜和第2絕緣膜,以及設置于前述第1絕緣膜和前述第2絕緣膜之間的、具有由銅或銅合金構成的導電性基材和設置于前述導電性基材表面的導電層的配線電路。前述導電層由在前述導電性基材上形成的銅-錫金屬間化合物層以及在該銅-錫金屬間化合物層上形成的殘余錫層構成,所述殘余錫層至少包含由錫和鉍構成的錫-鉍固溶體、錫和不可避免的雜質。
另外,就上述柔性印刷基板而言,錫-鉍固溶體優選含有3質量%以下的鉍。
另外,就上述柔性印刷基板而言,殘余錫層優選進一步含有未完全固溶而析出的鉍晶體。
另外,就上述柔性印刷基板而言,導電層中含有的前述錫-鉍固溶體使用X射線衍射裝置測定的該錫-鉍固溶體的晶格常數優選為,a軸在0.584nm以上0.585nm以下的范圍內,c軸在0.3185nm以上0.32nm以下的范圍內。
另外,就上述柔性印刷基板而言,導電層中含有的錫-鉍固溶體使用X射線衍射裝置測定的該錫-鉍固溶體的晶胞體積優選在0.1085nm3以上0.109nm3以下的范圍內。
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