[發明專利]柔性扁平電纜及其制造方法、柔性印刷基板及其制造方法

無效

• 申請號: 201110168314.9
• 申請日: 2011-06-16
• 公開（公告）號: CN102332332A
• 公開（公告）日: 2012-01-25
• 發明（設計）人: 藤戶啟輔;辻隆之
• 申請（專利權）人: 日立電線株式會社
• 主分類號: H01B7/08
• 分類號: H01B7/08;H01B5/02;H01B13/00;H05K3/10
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶;於毓楨

1.一種柔性扁平電纜，具備：

具有由銅或銅合金構成的導電性基材和設置于所述導電性基材表面的導電層的導體，

設置于所述導體上方的第1絕緣層，以及

設置于所述導體下方的第2絕緣層；

所述導電層由在所述導電性基材上形成的銅-錫金屬間化合物層以及在該銅-錫金屬間化合物層上形成的殘余錫層構成，所述殘余錫層至少包含由錫和鉍構成的錫-鉍固溶體、錫和不可避免的雜質。

2.如權利要求1所述的柔性扁平電纜，所述錫-鉍固溶體含有3質量％以下的鉍。

3.如權利要求1或2所述的柔性扁平電纜，其特征在于，所述殘余錫層進一步含有未完全固溶而析出的鉍晶體。

4.如權利要求1～3中任一項所述的柔性扁平電纜，所述導電層中含有的所述錫-鉍固溶體使用X射線衍射裝置測定的該錫-鉍固溶體的晶格常數為，a軸在0.584nm以上0.585nm以下的范圍內，c軸在0.3185nm以上0.32nm以下的范圍內。

5.如權利要求1～4中任一項所述的柔性扁平電纜，所述導電層中含有的所述錫-鉍固溶體使用X射線衍射裝置測定的該錫-鉍固溶體的晶胞體積在0.1085nm³以上0.109nm³以下的范圍內。

6.一種柔性印刷基板，具備：

第1絕緣膜和第2絕緣膜，以及

設置于所述第1絕緣膜和所述第2絕緣膜之間的、具有由銅或銅合金構成的導電性基材和設置于所述導電性基材表面的導電層的配線電路，

所述導電層由在所述導電性基材上形成的銅-錫金屬間化合物層以及在該銅-錫金屬間化合物層上形成的殘余錫層構成，所述殘余錫層至少包含由錫和鉍構成的錫-鉍固溶體、錫和不可避免的雜質。

7.如權利要求6所述的柔性印刷基板，所述錫-鉍固溶體含有3質量％以下的鉍。

8.如權利要求6或7所述的柔性印刷基板，所述殘余錫層進一步含有未完全固溶而析出的鉍晶體。

9.如權利要求8所述的柔性印刷基板，所述導電層中含有的所述錫-鉍固溶體使用X射線衍射裝置測定的該錫-鉍固溶體的晶格常數為，a軸在0.584nm以上0.585nm以下的范圍內，c軸在0.3185nm以上0.32nm以下的范圍內。

10.如權利要求8或9所述的柔性印刷基板，所述導電層中含有的所述錫-鉍固溶體使用X射線衍射裝置測定的該錫-鉍固溶體的晶胞體積在0.1085nm³以上0.109nm³以下的范圍內。

11.一種柔性扁平電纜的制造方法，具備：

準備由銅或銅合金構成的導電性基材的基材準備工序，

在所述導電性基材的表面實施錫-鉍合金鍍從而形成帶錫-鉍合金鍍層的基材的鍍敷工序，

對所述帶錫-鉍合金鍍層的基材實施所述錫-鉍合金鍍層的熔點以上的溫度的熱處理的熱處理工序，

所述熱處理工序后，以200℃/sec以上的冷卻速度冷卻所述帶錫-鉍合金鍍層的基材從而形成帶導電層的基材的冷卻工序，以及

在經過所述冷卻工序的所述帶導電層的基材上方設置第1絕緣層，下方設置第2絕緣層的絕緣層形成工序；

所述導電層由在所述導電性基材上形成的銅-錫金屬間化合物層以及在該銅-錫金屬間化合物層上形成的殘余錫層構成，所述殘余錫層至少包含由錫和鉍構成的錫-鉍固溶體、錫和不可避免的雜質。

12.如權利要求11所述的柔性扁平電纜的制造方法，所述錫-鉍合金鍍在純錫中含有3質量％以上10質量％以下的鉍。

13.如權利要求11或12所述的柔性扁平電纜的制造方法，所述導電層包含含有3質量％以下的鉍的所述錫-鉍固溶體。