[發明專利]放射線檢測裝置和放射線成像系統

有效

• 申請號: 201110166963.5
• 申請日: 2011-06-21
• 公開（公告）號: CN102299161A
• 公開（公告）日: 2011-12-28
• 發明（設計）人: 澤田覺;井上正人;大栗宣明;竹田慎市;秋山正喜;武井大希
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;G01T1/20;A61B6/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 康建忠

技術領域

本發明涉及放射線檢測裝置和放射線成像系統。在本說明書中，放射線包括諸如X射線和γ射線的電磁波。

背景技術

近年來實現的放射線檢測裝置的半導體基板具有大的面積。半導體基板的面積越大，每單位基板的產量越低，并且每單位基板的損耗量越大。出于這個原因，排列多個半導體基板以實現半導體基板面積的增加。當排列多個半導體基板時，它們優選地具有一致的高度。根據日本專利特開No.2008-224429，通過將半導體基板的下表面經由片狀多孔阻尼部件(damper?member)結合到基體上，調整半導體基板的上表面的高度。

發明內容

當排列多個半導體基板時，必須設定適當的半導體基板之間的間隔，并且使得它們的上表面具有一致的高度。日本專利特開No.2008-224429中公開的技術通過使阻尼部件在垂直于各半導體基板的上表面的方向上收縮，可使得半導體基板的表面高度一致。然而，同時，由于阻尼部件在平行于各半導體基板的方向上拉伸，半導體基板之間的間隔增大。因此，本發明的一個方面提供了用于抑制在其中布置有半導體基板的放射線檢測裝置中的多個半導體基板之間的間隔偏移的技術。

本發明的一個方面提供了一種放射線檢測裝置，包括：多個半導體基板，每個半導體基板具有第一表面和與第一表面相對的第二表面，用于檢測光的光電轉換部被形成在第一表面上；放置在所述多個半導體基板的第一表面上的閃爍體層，用于將放射線轉換為光；和放置在基體和所述多個半導體基板的第二表面之間的彈性部件，用于支撐所述多個半導體基板的第二表面以使得所述多個半導體基板的第一表面彼此平齊，其中當作為單體測量彈性部件時，立方體被檢查物在被在垂直于第一表面的方向上壓縮時在平行于第一表面的方向上的拉伸量小于被檢查物在被在平行于第一表面的方向上壓縮時在垂直于第一表面的方向上的拉伸量。

從(參考附圖)下文對示例實施例的描述，本發明的其它特征將變得清晰。

附圖說明

結合在本說明書中并且構成其一部分的附圖示出了本發明的實施例，并且與描述一起用于解釋本發明的原理。

圖1是根據一個實施例的放射線檢測裝置的例子的示意性截面圖；

圖2是用于解釋基材(base?material)的各向異性的視圖；

圖3是用于解釋測量基材的拉伸量的方法的視圖；

圖4是用于解釋基材的拉伸量和重物的重量之間的關系的曲線圖；

圖5是根據一個實施例的放射線檢測裝置的另一個例子的示意性截面圖；

圖6是用于解釋根據另一個實施例的放射線成像系統的視圖。

具體實施方式

下面將參考附圖描述本發明的實施例。

將參考圖1描述根據一個實施例的放射線檢測裝置100的例子。圖1是放射線檢測裝置100的示意性截面圖。放射線檢測裝置100可以包括基體110、彈性部件120、多個半導體基板130和閃爍體面板(scintillator?panel)140。閃爍體面板140可以包括閃爍體層141和支撐基板142。閃爍體層141將已進入放射線檢測裝置100的放射線轉換為光。可以通過例如在支撐基板142上氣相沉積CsI來形成閃爍體層141。

半導體基板130具有在其上形成有光電轉換部的表面(第一表面)，并且檢測由閃爍體層141轉換成的光。閃爍體面板140被放置在其上形成有光電轉換部的表面(第一表面)之上。放射線檢測裝置100可以包括多個半導體基板130。圖1作為例子示出了兩個半導體基板130。然而，可使用的基板數目不限于此。半導體基板130的位于閃爍體面板140側的表面被固定為彼此平齊。半導體基板130的位于與閃爍體面板140相對的一側的表面(第二表面)被固定到基體110上的彈性部件120支撐。

彈性部件120可以包括基材121以及將基材121夾在中間的粘接層122和123。半導體基板130通過粘接層123接合到基材121。基體110通過粘接層122接合到基材121。即，彈性部件120還作為粘接部件?；?21可被粘接材料覆蓋，而不是被夾在粘接層122和123之間。