[發明專利]形成自對準接觸物的方法及具有自對準接觸物的集成電路

有效

• 申請號: 201110165411.2
• 申請日: 2011-06-14
• 公開（公告）號: CN102760700A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 何家銘;陳逸男;劉獻文
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/768;H01L27/088;H01L23/522
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 余朦;王艷春

技術領域

本發明涉及半導體的制作，且特別涉及一種形成自對準接觸物的方法。

背景技術

隨著特征尺寸的縮減及芯片上的裝置密度(device?density)的增加，用于半導體裝置的可靠接觸結構的制作越顯困難。舉例來說，隨著裝置密度的增加，接觸結構的深寬比(即深度與寬度的比例)也隨之增加。因此，在施行接觸蝕刻至一既定深度時很難不使用橫向的過度蝕刻(lateral?over?etching)。

為了在較高密度下較為可靠地制作較小的半導體裝置結構，需要使用自對準接觸物(self-aligned?contacts)。自對準接觸物不僅改善了接觸物的物理特性，且改善了電性特性。自對準接觸物使用了其結構的材料特性而避免或降低了部份制程錯誤的發生。

已知的形成自對準接觸物的方法之一包括：先提供其上具有至少兩金氧半導體裝置(MOS?devices)的基板，并接著在此兩金氧半導體裝置之上形成如氧化硅的絕緣層。這些金氧半導體裝置分別包括導電閘(conductive?gate)及位于此導電閘的數個側壁上的間隔物(spacer)。此兩金氧半導體裝置具有位于此兩金氧半導體裝置的導電閘間的共享源極/汲極區。經過圖案化上述絕緣層而形成自對準接觸開口以露出此共享源極/汲極區。接著在此自對準接觸開口內形成導電層從而形成自對準接觸物。

然而，隨著這些金氧半導體裝置的特征尺寸的降低，介于相鄰金氧半導體裝置之間的間距(pitch)也隨著縮減以增加裝置密度，進而使得為此自對準接觸開口所露出金氧半導體裝置的間隔物會在形成自對準接觸開口時被部份移除，因而可能會露出導電閘。在自對準接觸開口形成后的露出導電閘情形為不期望的，這可能在接觸開口內形成導電層之后在導電閘與自對準接觸物之間產生短路現象。

發明內容

因此，需要一種較佳的形成自對準接觸物的方法及具有自對準接觸物的集成電路以解決上述問題。

依據一實施例，本發明提供了一種形成自對準接觸物的方法，包括：

提供基板，該基板上具有晶體管，其中該晶體管包括罩幕層及形成于該罩幕層相對側的一對絕緣間隔物；在該基板之上形成介電層，并覆蓋該晶體管；移除該介電層的部份，以露出該晶體管的頂部；在該介電層與該晶體管的該頂部之上形成阻障層；蝕刻該阻障層，于該晶體管的該一對絕緣間隔物中的一個上部邊角處留下保護阻障物；施行蝕刻程序，采用該保護阻障物與該罩幕層做為蝕刻罩幕，進而形成露出該晶體管的源極/汲極區的自對準接觸開口以及由該保護阻障物所覆蓋的介電間隔物；以及在該自對準接觸開口內形成導電層以接觸該晶體管的該源極/汲極區。

依據一實施例，本發明提供了一種具有自對準接觸物的集成電路，包括：

基板，其上具有晶體管，其中該晶體管包括罩幕層以及形成于該罩幕層相對側的一對絕緣間隔物；介電間隔物，部份地覆蓋至少該晶體管的該一對絕緣間隔物中的一個；保護阻障物，位于該介電間隔物之上；以及導電層，形成于該罩幕層、該保護阻障物、該介電間隔物、該絕緣間隔物及該介電間隔物之上，以做為接觸該晶體管的源極/汲極區的自對準接觸物。

為讓本發明之上述目的、特征及優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附的圖式，作詳細說明如下。

附圖說明

圖1-6為一系列剖面圖，顯示了依據本發明的一實施例的形成自對準接觸物的方法；以及

圖7為一剖面圖，顯示了依據本發明一實施例的具有數個自對準接觸物的集成電路。

主要組件符號說明

100～基板；????????????102～閘介電層；

104～閘電極；??????????106～罩幕層；

108～閘結構；??????????110～絕緣間隔物；

112～源極/汲極區；?????114～介電層；

114a～介電間隔物；?????115～蝕刻程序；

116～阻障層；??????????116a～保護阻障物；

118～蝕刻程序；????????120～圖案化罩幕層；

122～開口；????????????124～蝕刻程序；

126～自對準接觸開口；??128～導電層；

T～晶體管；????????????D～距離；

P～間距。

具體實施方式

圖1-6顯示了依據本發明的一實施例的形成自對準接觸物的方法。