[發明專利]形成自對準接觸物的方法及具有自對準接觸物的集成電路

有效

• 申請號: 201110165411.2
• 申請日: 2011-06-14
• 公開（公告）號: CN102760700A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 何家銘;陳逸男;劉獻文
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/768;H01L27/088;H01L23/522
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 余朦;王艷春

1.一種形成自對準接觸物的方法，包括：

提供基板，所述基板上具有晶體管，其中所述晶體管包括罩幕層及形成于所述罩幕層的相對側的一對絕緣間隔物；

在所述基板上形成介電層，并覆蓋所述晶體管；

移除所述介電層的部份，以露出所述晶體管的頂部；

在所述介電層與所述晶體管的所述頂部上形成阻障層；

蝕刻所述阻障層，在所述晶體管的所述一對絕緣間隔物中的一個上部邊角處留下保護阻障物；

施行蝕刻程序，將所述保護阻障物與所述罩幕層用做蝕刻罩幕，進而形成露出所述晶體管的源極/汲極區的自對準接觸開口以及由所述保護阻障物所覆蓋的介電間隔物；以及

在所述自對準接觸開口內形成導電層以接觸所述晶體管的所述源極/汲極區。

2.根據權利要求1所述的形成自對準接觸物的方法，其中所述罩幕層與所述一對絕緣間隔物包括氮化硅。

3.根據權利要求1或2所述的形成自對準接觸物的方法，其中所述阻障層包括氮化硅或氮氧化硅。

4.根據權利要求1或2所述的形成自對準接觸物的方法，其中所述介電層包括二氧化硅、硼磷硅酸玻璃或旋涂介電材料。

5.根據權利要求1或2所述的形成自對準接觸物的方法，其中所述阻障層具有約2-10奈米的厚度。

6.根據權利要求1或2所述的形成自對準接觸物的方法，其中所述蝕刻程序包括過度蝕刻步驟。

7.根據權利要求1或2所述的形成自對準接觸物的方法，其中所述導電層包括鋁。

8.一種具有自對準接觸物的集成電路，包括：

基板，所述基板上具有晶體管，所述晶體管包括罩幕層以及形成于所述罩幕層相對側的一對絕緣間隔物；

介電間隔物，部份地覆蓋至少所述晶體管的所述一對絕緣間隔物中的一個；

保護阻障物，位于所述介電間隔物上；以及

導電層，形成于所述罩幕層、所述保護阻障物、所述介電間隔物、所述絕緣間隔物及所述介電間隔物上，以做為接觸所述晶體管的源極/汲極區的自對準接觸物。

9.根據權利要求8所述的具有自對準接觸物的集成電路，其中所述罩幕層與所述一對絕緣間隔物包括氮化硅。

10.根據權利要求8或9所述的具有自對準接觸物的集成電路，其中所述保護阻障物包括氮化硅或氮氧化硅。

11.根據權利要求8或9所述的具有自對準接觸物的集成電路，其中所述介電間隔物包括二氧化硅、硼磷硅酸玻璃或旋涂介電材料。

12.根據權利要求8或9所述的具有自對準接觸物的集成電路，其中所述導電層包括鋁。

13.根據權利要求8或9所述的具有自對準接觸物的集成電路，還包括形成在所述基板上的另一介電間隔物，所述另一介電間隔物部份地覆蓋另一絕緣間隔物。

14.根據權利要求13所述的具有自對準接觸物的集成電路，還包括另一保護阻障層，形成于部份地覆蓋所述另一絕緣間隔物的所述介電間隔物上。