[發(fā)明專利]一種裸銅印制板的有機助焊保護(hù)膜制作工藝無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110164555.6 | 申請日: | 2011-06-17 |
| 公開(公告)號: | CN102256449A | 公開(公告)日: | 2011-11-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鞏新勇 | 申請(專利權(quán))人: | 山東三新電子有限公司 |
| 主分類號: | H05K3/28 | 分類號: | H05K3/28;G01N5/04;G01B11/06 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 250216 山東省*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 印制板 有機 保護(hù)膜 制作 工藝 | ||
1.一種裸銅印制板的有機助焊保護(hù)膜制作工藝,其特征在于,包括以下步驟:
(1)除油,對裸銅印制板的表面進(jìn)行除油;
(2)微蝕,對裸銅印制板的表面進(jìn)行微蝕處理;
(3)酸洗,將裸銅印制板放入酸液中進(jìn)行酸洗;
(4)成膜,將裸銅印制板放入成膜液中進(jìn)行成膜處理;
(5)干燥,將進(jìn)行完成膜處理的裸銅印制板進(jìn)行干燥處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種裸銅印制板的有機助焊保護(hù)膜制作工藝,其特征在于,所述除油和微蝕步驟后都要進(jìn)行二級水洗的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種裸銅印制板的有機助焊保護(hù)膜制作工藝,其特征在于,所述酸洗和成膜步驟后都要進(jìn)行去離子水洗的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種裸銅印制板的有機助焊保護(hù)膜制作工藝,其特征在于,所述去離子水洗步驟中使用的去離子水的PH值為4.0-7.0之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種裸銅印制板的有機助焊保護(hù)膜制作工藝,其特征在于,所述成膜步驟中,成膜液的PH值為3.0-3.2之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種裸銅印制板的有機助焊保護(hù)膜制作工藝,其特征在于,所述除油步驟內(nèi)還包括對除油效果的檢驗,檢驗的方法為對裸銅印制板進(jìn)行水洗,裸銅印制板表面形成水膜并且超過15秒不破裂則為合格。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種裸銅印制板的有機助焊保護(hù)膜制作工藝,其特征在于,所述微蝕步驟中,微蝕厚度為1.0um-1.5um。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種裸銅印制板的有機助焊保護(hù)膜制作工藝,其特征在于,所述微蝕步驟中還包含微蝕速率的測定,微蝕速率的測定方法為:
1)取厚雙面銅箔板,面積記為S(cm2);
2)放入烘爐中,在90℃-100℃烘30分鐘;
3)在防潮瓶內(nèi)冷卻至室溫,用分析天平稱重W1(克);
4)將厚雙面銅箔板浸入除油缸中,再浸入微蝕缸后取出,記錄浸入微蝕缸的時間記為t(分鐘);
5)用水清洗后,于烘爐中90℃-100℃烘30分鐘;
6)在防潮瓶中冷卻至室溫,用分析天平稱重W2(克);
7)計算:蝕銅速率(微米/分鐘)=10000*(W1-W2)/(8.92*2*S*t)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種裸銅印制板的有機助焊保護(hù)膜制作工藝,其特征在于,所述成膜步驟中,裸銅印制板的成膜厚度為0.2um-0.5um。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述一種裸銅印制板的有機助焊保護(hù)膜制作工藝,其特征在于,所述成膜步驟中,測量成膜厚度的方法為:
1)將經(jīng)過成膜處理的裸銅印制板放置于燒杯中
2)用移液管取15%的鹽酸液,放入燒杯,輕搖燒杯,三分鐘后將裸銅印制板拿出;
3)用5%的鹽酸校零,在751G分光光度計上,于269.1nm處測吸光度;
4)再以第(2)步驟準(zhǔn)備的15%的鹽酸液更換,讀取在170nm處的吸光度A;
5)計算:膜厚(微米)=0.7*A。
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