[發(fā)明專利]用于加載或卸載基板的基板處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110163497.5 | 申請日: | 2011-06-17 |
| 公開(公告)號: | CN102290486A | 公開(公告)日: | 2011-12-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉載賢;具教旭 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/677;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327 | 代理人: | 陳英俊 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 加載 卸載 處理 裝置 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及大量處理如太陽能電池基板的基板處理設備,更具體地說,涉及到將基板裝載在托盤上的基板處理裝置。
背景技術
最近,隨著對環(huán)境問題和能源枯竭的關注度提高,對作為能源資源豐富、不污染環(huán)境、且能源效率高的替代能源的太陽能電池的關注度逐漸提高。
太陽能電池可分為太陽熱電池和太陽光電池,所述太陽熱電池利用太陽熱產生旋轉渦輪機所需的蒸汽,所述太陽光電池利用半導體的特性將太陽光(photons)轉換成電能。其中,對通過吸收光來產生電子和空穴,從而將光能轉化成電能的太陽光電池(下面稱之為太陽能電池)的研究正積極進行。
因此,為了制造太陽能電池,需要進行在硅片等基板上蒸鍍P型或N型半導體層、防反射膜、電極等薄膜的工藝,為了處理大量的太陽能電池,這些在太陽能電池蒸鍍薄膜的裝置上,使用了作為安放單元的托盤。
但是,這種以往的用于制造太陽能電池的基板處理裝置,由于在托盤上加載/卸載大量的太陽能電池的作業(yè)時間較長等工作效率低引起的單件產品生產時間增加,從而存在生產率下降的問題。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于,提供一種能夠縮短在托盤上加載/卸載太陽能電池的作業(yè)時間的基板處理裝置。
另外,本發(fā)明的目的在于,提供一種能夠提高生產率的基板處理裝置。
為了解決所述問題,本發(fā)明涉及的用于在托盤上加載或卸載多個基板的基板處理裝置,其包括:托盤搬運部,托盤位于其上,用于搬運該托盤;基板加載傳送部,要供給至所述托盤的基板在該基板加載傳送部被排成一列;基板卸載傳送部,要從所述托盤搬出的基板在該基板卸載傳送部被排成一列;第一基板搬運機械手,拾取在所述基板加載傳送部待機中的基板,并搬運到位于所述托盤搬運部上的所述托盤;以及第二基板搬運機械手,從位于所述托盤搬運部的所述托盤上拾取基板,并搬運到所述基板卸載傳送部。
根據本發(fā)明的一實施例,所述基板加載傳送部和所述基板卸載傳送部相互對稱地配置在所述托盤搬運部的兩側。
根據本發(fā)明能夠縮短將太陽能電池加載/卸載在托盤上的作業(yè)時間,從而可提高生產率。
附圖說明
圖1是本發(fā)明一實施例涉及的太陽能電池用PECVD設備的框圖。
圖2是圖1所示的加載/卸載裝置的俯視圖。
圖3是用于說明儲運盒加載傳送部的示意圖。
圖4a是用于說明基板搬出部的示意圖。
圖4b是按步驟說明在基板搬出部中的基板搬出過程的示意圖。
圖5是用于說明第一基板搬運機械手的結構的示意圖。
圖6a至6e是按步驟表示從下層的搬運輥部向上層的搬運輥部移動托盤的示意圖。
圖7是表示本發(fā)明的加載/卸載裝置的變形例的俯視圖。
附圖標記:
100a:儲運盒加載傳送部
200a:第一儲運盒升降機
300a:基板搬出部
400a:基板加載傳送部
500a:第一基板搬運機械手
600:托盤搬運部
具體實施方式
下面,參照附圖詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。如上所述的本發(fā)明所要解決的問題、問題的解決方法及效果,可通過附圖及相關實施例容易理解。
為了明確說明本發(fā)明,在各附圖中,一部分被簡略或夸張圖示。對各附圖的構成要素賦予附圖標記時,雖然相同構成要素圖示在不同附圖中,但賦予了相同的附圖標記。而且,對本發(fā)明進行說明時,認為對有關已知結構或功能的詳細說明可能混淆本發(fā)明的旨意的情況下,省略了該詳細說明。
圖1是本發(fā)明的一實施例涉及的太陽能電池用PECVD設備的框圖,圖2是圖1所示的加載/卸載裝置的俯視圖。
參照圖1及圖2,太陽能電池用PECVD設備1用于對太陽能電池用基板S(下面稱之為基板)進行PECVD處理工藝,其包括:加載/卸載裝置10;樣品加載腔20以及工藝腔30。
本發(fā)明為了提高生產率,一同處理多個基板S,為此,使用能夠安放數十至數百張基板S的托盤90。即,將安放有多個基板S的托盤90經由樣品加載腔20搬入到工藝腔30的內部,并在基板S被放置在托盤90上的狀態(tài)下,進行工藝。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





