[發明專利]磁控濺射鍍膜裝置

無效

• 申請號: 201110160432.5
• 申請日: 2011-06-15
• 公開（公告）號: CN102212779A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發明（設計）人: 趙紅艷;錢濤
• 申請（專利權）人: 星弧涂層科技（蘇州工業園區）有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/35
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102
• 代理人: 陸明耀;陳忠輝

技術領域

本發明屬于金屬表面鍍膜領域，尤其涉及一種磁控濺射鍍膜裝置。

背景技術

磁控濺射的工作原理是被離化的Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或離子沉積在基片上形成薄膜。如圖1和圖2所示，磁控濺射靶101固定在腔體102壁上，靶材的濺射粒子105沉積在基片103上形成薄膜。基片103安裝在腔體102中心的旋轉架104上，每個基片103隨旋轉架104一起繞旋轉架104的軸線轉動，在磁控濺射鍍膜過程中，基片103相對于磁控濺射靶101靶面的位置在不停的變化，且只在一個旋轉周期的一段時間內經過涂層區域。在沉積過程中由于實際設備中氣氛壓力、電場和磁場的分布不均，會導致沉積速率延縱向高度而不同，實際沉積速率或在基片上的薄膜厚度并不均勻，沉積速率或在基片上薄膜厚度在空間分布曲線圖如圖3所示，其中X軸代表薄膜厚度（μm），Y軸代表基片的縱向距離。

發明內容

鑒于上述現有技術存在的缺陷，本發明的目的是提出一種可提高基片鍍膜縱向均勻性的磁控濺射鍍膜裝置。

本發明的目的將通過以下技術方案得以實現：

一種磁控濺射鍍膜裝置，包括一真空室，所述真空室的側壁上設有至少一個磁控濺射陰極，所述真空室內設有圓形的基片轉架，所述基片轉架上豎直放置有至少一個的基片，所述基片的外側的基片轉架上套設有圓柱狀的遮蔽罩；所述遮蔽罩上開設有與所述磁控濺射陰極對應的縱向開口，所述縱向開口的開口形狀為雙曲線，所述縱向開口的雙曲線與所述磁控濺射陰極的沉積速率空間曲線一致。

優選的，上述的磁控濺射鍍膜裝置，其中：所述遮蔽罩與所述基片轉架固定連接。

優選的，上述的磁控濺射鍍膜裝置，其中：所述磁控濺射陰極為平面矩形磁控濺射陰極。

本發明的突出效果為：根據磁控濺射陰極的沉積速率空間曲線的特點，在基片前面裝置遮蔽罩，以實現遮擋作用，使需要被涂層的基片始終處在磁控濺射陰極的均勻鍍膜有效區域內，本發明提高了平面矩形磁控濺射鍍膜的縱向均勻性，解決了基片上薄膜厚度不均勻的問題。本發明結構簡單，生產成本低，生產效率高，鍍膜均勻性效果好。

以下便結合實施例附圖，對本發明的具體實施方式作進一步的詳述，以使本發明技術方案更易于理解、掌握。

附圖說明

圖1是現有技術的結構示意圖；

圖2是現有技術的俯視圖；

圖3是現有技術的磁控濺射陰極的沉積速率空間曲線；

圖4是本發明實施例1的結構示意圖；

圖5是本發明實施例1的遮蔽罩的結構示意圖；

圖6是本發明實施例1的遮蔽罩的主視圖。

具體實施方式

實施例1

本實施例的一種磁控濺射鍍膜裝置，如圖4所示，包括真空室1，真空室1的側壁上設有6個磁控濺射陰極2，磁控濺射陰極2為平面矩形磁控濺射陰極。真空室1內設有圓形的基片轉架3，基片轉架3上豎直放置有6個基片4，基片4的外側的基片轉架3上套設有圓柱狀的遮蔽罩5；所述遮蔽罩5與基片轉架3固定連接，不隨基片轉架3和基片4轉動。如圖5和圖6所示，遮蔽罩5上開設有與磁控濺射陰極2對應的縱向開口6，縱向開口6的縱向的開口形狀為雙曲線，此曲線與磁控濺射陰極2的沉積速率空間曲線是一致的。

本實施例根據磁控濺射陰極的沉積速率空間曲線的特點，在基片4前面裝置遮蔽罩5，以實現遮擋作用，使需要被涂層的基片4始終處在磁控濺射陰極2的均勻鍍膜有效區域內，本實施例提高了平面矩形磁控濺射鍍膜的縱向均勻性，解決了基片上4薄膜厚度不均勻的問題。本實施例結構簡單，生產成本低，生產效率高，鍍膜均勻性效果好。

本發明尚有多種實施方式，凡采用等同變換或者等效變換而形成的所有技術方案，均落在本發明的保護范圍之內。