[發明專利]形成開口的方法

有效

• 申請號: 201110160266.9
• 申請日: 2011-06-15
• 公開（公告）號: CN102832163B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發明（設計）人: 張峰溢;林義博;廖俊雄;蔡尚元;馮郅文;呂水煙;徐慶斌
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種形成開口的方法，包括：

形成含碳的硬掩模于半導體基底表面；以及

利用不含氧原子的氣體對該硬掩模進行第一蝕刻工藝，以于該硬掩模中形成第一開口。

2.如權利要求1所述的方法，其中該硬掩模包括非晶碳。

3.如權利要求1所述的方法，其中形成該硬掩模后另包括：

形成介電抗反射層、底抗反射層以及圖案化光致抗蝕劑層于該硬掩模上；

利用該圖案化光致抗蝕劑層進行第二蝕刻工藝，以于該底抗反射層及該介電抗反射層中形成第二開口；以及

利用該圖案化光致抗蝕劑層進行該第一蝕刻工藝，以于該硬掩模中形成該第一開口。

4.如權利要求1所述的方法，其中該不含氧原子的氣體是選自H₂、N₂、He、NH₃、CH₄及C₂H₄。

5.如權利要求1所述的方法，其中形成該硬掩模之前另包括形成柵極結構于該半導體基底表面，該柵極結構上設有接觸洞蝕刻停止層以及介電層。

6.如權利要求5所述的方法，其中該柵極結構包括多晶硅柵極或金屬柵極。

7.如權利要求5所述的方法，另包括利用該第一開口于該柵極結構的橫軸定義矩型溝槽。

8.一種形成開口的方法，包括：

形成硬掩模以及介電抗反射層于半導體基底上；

形成第一底抗反射層于該介電抗反射層上；

于該第一底抗反射層及部分該介電抗反射層中形成第一開口；

形成第二底抗反射層于該介電抗反射層上并填滿該第一開口；

于該第二抗反射層及部分該介電抗反射層中形成第二開口；以及

利用不含氧原子的氣體對該硬掩模進行蝕刻工藝，將該第一開口及該第二開口轉移至該硬掩模中以形成多個第三開口。

9.如權利要求8所述的方法，其中該硬掩模包括非晶碳。

10.如權利要求8所述的方法，其中該不含氧原子的氣體是選自H₂、N₂、He、NH₃、CH₄及C₂H₄。

11.如權利要求8所述的方法，其中形成該硬掩模之前另包括形成柵極結構于該半導體基底表面，該柵極結構上設有接觸洞蝕刻停止層以及介電層。

12.如權利要求11所述的方法，其中該柵極結構包括多晶硅柵極或金屬柵極。

13.如權利要求8所述的方法，其中形成該第二開口后另包括：

去除該第一開口及該第二開口下的部分該介電抗反射層以暴露出該硬掩模；以及

利用剩余的該介電抗反射層進行該蝕刻工藝，以于該硬掩模中形成該多個第三開口。

14.如權利要求8所述的方法，另包括利用該多個第三開口于該柵極結構的橫軸定義矩型溝槽。

15.一種形成開口的方法，包括：

形成硬掩模以及介電抗反射層于半導體基底上；

形成第一底抗反射層于該介電抗反射層上；

蝕刻該第一底抗反射層、該介電抗反射層以及該硬掩模以于該硬掩模中形成第一開口；

形成第二底抗反射層于該介電抗反射層上并填滿該第一開口；以及

蝕刻該第二底抗反射層、該介電抗反射層及該硬掩模以于該硬掩模中形成第二開口，其中蝕刻該硬掩模時是利用不含氧原子的蝕刻氣體。

16.如權利要求15所述的方法，其中該硬掩模包括非晶碳。

17.如權利要求15所述的方法，其中該不含氧原子的氣體是選自H₂、N₂、He、NH₃、CH₄及C₂H₄。

18.如權利要求15所述的方法，其中形成該硬掩模之前另包括形成柵極結構于該半導體基底表面，該柵極結構上設有接觸洞蝕刻停止層以及介電層。

19.如權利要求18所述的方法，其中該柵極結構包括多晶硅柵極或金屬柵極。