[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110159506.3
• 申請(qǐng)日: 2011-06-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102832243A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-12-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅軍;趙超;鐘匯才;李俊峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/45;H01L21/336
• 代理公司: 北京藍(lán)智輝煌知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種半導(dǎo)體器件，包括位于襯底上的柵極堆疊結(jié)構(gòu)、位于柵極堆疊結(jié)構(gòu)周圍的柵極隔離側(cè)墻、位于柵極堆疊結(jié)構(gòu)兩側(cè)的源漏區(qū)、位于所述源漏區(qū)中的外延生長(zhǎng)的源漏接觸，其特征在于：所述源漏接觸為金屬與襯底材料的化合物，位于所述源漏區(qū)中并與所述柵極隔離側(cè)墻下方的溝道區(qū)接觸。

2.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中，所述襯底為Si或SOI，所述源漏接觸是外延生長(zhǎng)的金屬硅化物，其材質(zhì)為NiSi_2-y、Ni_1-xPt_xSi_2-y、CoSi_2-y或Ni_1-xCo_xSi_2-y，其中x均大于0小于1，y均大于等于0小于1。

3.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中，所述襯底為Ge或GOI，所述源漏接觸是外延生長(zhǎng)的金屬鍺化物，其材質(zhì)為NiGe_2-y、Ni_1-xPt_xGe_2-y、CoGe_2-y或Ni_1-xCo_xGe_2-y，其中x均大于0小于1，y均大于等于0小于1。

4.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中，所述襯底為SiGe，所述源漏接觸是外延生長(zhǎng)的SiGe合金，其材質(zhì)為Ni(Si_1-zGe_z)_2-y、Ni_1-xPt_x(Si_1-zGe_z)_2-y、Co(Si_1-zGe_z)_2-y或Ni_1-xCo_x(Si_1-zGe_z)_2-y，其中x均大于0小于1，y均大于等于0小于1，z均大于0小于1。

5.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中，所述源漏接觸的厚度小于等于15nm。

6.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中，所述源漏區(qū)為具有LDD結(jié)構(gòu)的重?fù)诫s源漏區(qū)。

7.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中，所述源漏區(qū)為選擇性外延生長(zhǎng)的抬升源漏。

8.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中，所述源漏區(qū)結(jié)深小于等于20nm。

9.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中，所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)寬度小于等于30nm。

10.一種半導(dǎo)體器件制造方法，包括：

在襯底上形成柵極堆疊結(jié)構(gòu)；

在所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)周圍形成柵極隔離側(cè)墻；

在所述柵極隔離側(cè)墻兩側(cè)形成源漏區(qū)；

在所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)、所述柵極隔離側(cè)墻以及所述源漏區(qū)上形成金屬層；

執(zhí)行退火，使得所述金屬層與所述源漏區(qū)中的襯底材料反應(yīng)形成外延生長(zhǎng)的源漏接觸；以及

剝除未反應(yīng)的所述金屬層，所述源漏接觸位于所述源漏區(qū)中并與所述柵極隔離側(cè)墻下方的溝道區(qū)接觸。

11.如權(quán)利要求10的半導(dǎo)體器件制造方法，所述襯底為Si或SOI，所述源漏接觸是外延生長(zhǎng)的金屬硅化物，其材質(zhì)為NiSi_2-y、Ni_1-xPt_xSi_2-y、CoSi_2-y或Ni_1-xCo_xSi_2-y，其中x均大于0小于1，y均大于等于0小于1。

12.如權(quán)利要求10的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，所述襯底為Ge或GOI，所述源漏接觸是外延生長(zhǎng)的金屬鍺化物，其材質(zhì)為NiGe_2-y、Ni_1-xPt_xGe_2-y、CoGe_2-y或Ni_1-xCo_xGe_2-y，其中x均大于0小于1，y均大于等于0小于1。