[發(fā)明專利]測(cè)量電子自旋相關(guān)輸運(yùn)的變溫顯微測(cè)量系統(tǒng)無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110159296.8 | 申請(qǐng)日: | 2011-06-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102253323A | 公開(公告)日: | 2011-11-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李韞慧;章昊;肖文波;吳昊;譚平恒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 |
| 主分類號(hào): | G01R31/26 | 分類號(hào): | G01R31/26;G01R19/12 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 湯保平 |
| 地址: | 100083 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 測(cè)量 電子 自旋 相關(guān) 輸運(yùn) 顯微 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體電學(xué)性質(zhì)測(cè)試技術(shù)和磁性材料磁學(xué)性質(zhì)測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及鐵磁金屬-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的自旋相關(guān)輸運(yùn)(包括從鐵磁金屬到半導(dǎo)體方向的自旋注入和從半導(dǎo)體到鐵磁性金屬方向的自旋濾波)性質(zhì)的測(cè)量技術(shù)。
背景技術(shù)
現(xiàn)代信息技術(shù)利用電子的電荷自由度來進(jìn)行信息處理,而用磁性材料的自旋自由度來存儲(chǔ)信息。自旋電子學(xué)這個(gè)新興的領(lǐng)域同時(shí)利用電子的這兩個(gè)自由度來產(chǎn)生新的功能,這可能引起未來的信息技術(shù)的革新。鐵磁金屬-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)間的自旋相關(guān)輸運(yùn)過程包括鐵磁材料向半導(dǎo)體材料的自旋電子注入,以及半導(dǎo)體材料向鐵磁材料的自旋電子檢測(cè)。由鐵磁金屬向半導(dǎo)體注入自旋的方法包括兩種;第一種方法是利用電學(xué)方法直接把鐵磁性材料的極化電子注入到半導(dǎo)體中;第二種是利用光學(xué)方法在半導(dǎo)體中泵浦出極化電子。自旋濾波效應(yīng)實(shí)驗(yàn)是利用鐵磁材料在Fermi面附近上下自旋態(tài)密度的不同,來探測(cè)半導(dǎo)體中自旋向上和向下的極化電子:與鐵磁金屬自旋多子的自旋方向相同的電子可以通過鐵磁材料;反之就會(huì)被鐵磁材料阻擋住。通過測(cè)量不同極化電流的值,獲得電子的自旋極化方向和自旋極化電流的大小。
有的小組(J.Appl.Phys,87,pp4670-4672,2000)研究了NiFe/GaAs間Schottky勢(shì)壘在偏振光激發(fā)下的偏振光電流,研究結(jié)果顯示鐵磁薄膜的磁化強(qiáng)度方向和Schottky勢(shì)壘高度決定了半導(dǎo)體和鐵磁材料間自旋相關(guān)光電流。這一研究方法可以測(cè)量鐵磁金屬-半導(dǎo)體材料的自旋相關(guān)電子輸運(yùn)過程。然而,一方面,我們希望測(cè)量樣品在不同磁場(chǎng)下的自旋相關(guān)輸運(yùn)性質(zhì),并且有足夠大的外加磁場(chǎng)強(qiáng)度,從而使鐵磁金屬薄膜的磁化強(qiáng)度方向發(fā)生偏轉(zhuǎn);另一方面,由于溫度上升會(huì)加速自旋偏振電子向非極化狀態(tài)的弛豫過程,使自旋極化效應(yīng)難于觀測(cè),因此,使樣品處于低溫環(huán)境有助于觀測(cè)到自旋相關(guān)效應(yīng)?,F(xiàn)階段通常采用液氦循環(huán)的樣品腔和液氦制冷的超導(dǎo)線圈來獲取低溫和強(qiáng)磁場(chǎng)環(huán)境,然而,液氦的昂貴和獲取困難給實(shí)驗(yàn)條件帶來了很大的制約,因此我們希望通過不依賴于液氦的方法展開自旋輸運(yùn)實(shí)驗(yàn)研究。
為此,我們發(fā)明了一種可以改變磁場(chǎng)強(qiáng)度和環(huán)境溫度的測(cè)量自旋相關(guān)輸運(yùn)性質(zhì)的方法,采用光學(xué)方法在鐵磁金屬-半導(dǎo)體樣品中產(chǎn)生自旋極化電子,通過測(cè)量不同磁場(chǎng)和溫度下的偏振相關(guān)光生電壓隨直流偏壓變化來實(shí)現(xiàn),該方法經(jīng)濟(jì)簡(jiǎn)便,易于操作,能夠給自旋相關(guān)輸運(yùn)性質(zhì)的研究帶來很大幫助。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種研究在不同磁場(chǎng)和不同溫度下鐵磁材料和半導(dǎo)體界面處自旋相關(guān)輸運(yùn)的系統(tǒng)。利用這套系統(tǒng),可以改變磁場(chǎng)強(qiáng)度和樣品溫度,利用光學(xué)方法得到自旋極化電子,測(cè)量從鐵磁材料向半導(dǎo)體注入自旋的自旋注入效應(yīng)和半導(dǎo)體中極化電子向鐵磁材料輸運(yùn)過程中的自旋濾波效應(yīng)。
本發(fā)明提供一種測(cè)量電子自旋相關(guān)輸運(yùn)的變溫顯微測(cè)量系統(tǒng),該系統(tǒng)包括:
一HeNe激光器,用來激發(fā)樣品光生載流子;
一格蘭泰勒棱鏡,位于HeNe激光器的主光路上,將HeNe激光器出射的激光變成線偏振光;
一光彈調(diào)制器,將線偏振光調(diào)制為按50KHz周期調(diào)制的左右旋圓偏振光;
一顯微物鏡,該顯微物鏡位于主光路上,用于將入射激光聚焦在樣品臺(tái)面上;
一變溫液氮杜瓦樣品座,該變溫液氮杜瓦樣品座位于主光路上,該變溫液氮杜瓦樣品座包括一溫度控制儀,一紫銅冷指,待測(cè)量樣品固定在紫銅冷指頂端;
一數(shù)字電壓電流源表,與變溫液氮杜瓦樣品座內(nèi)的待測(cè)量樣品連接,用于施加直流偏置電壓,并同時(shí)讀取樣品回路的直流電流大小,其控制端通過GPIB線與一計(jì)算機(jī)連接;
一取樣電阻,與變溫液氮杜瓦樣品座內(nèi)的待測(cè)量樣品回路連接,用于將待測(cè)量樣品的交流電壓信號(hào)提取出來;
一鎖相放大器,該鎖相放大器的信號(hào)輸入端與取樣電阻連接,用來測(cè)量樣品的偏振相關(guān)交流電壓信號(hào),其觸發(fā)輸入端與光彈調(diào)制器連接,該鎖相放大器的控制端通過GPIB線與一計(jì)算機(jī)連接;
一半反半透鏡組,該半反半透鏡組位于主光路上;
一白光光源,使出射的白光通過半反半透鏡組照射在變溫液氮杜瓦樣品座內(nèi)的樣品臺(tái)面上,用以觀察和調(diào)節(jié)HeNe激光器光斑打在待測(cè)量樣品臺(tái)面上的位置;
一攝像機(jī)和顯示器,用來顯示輸出待測(cè)量樣品臺(tái)面成像以及激光光斑位置;
一釹鐵硼環(huán)形永磁體,開有一通孔,同軸套在變溫液氮杜瓦樣品座的紫銅冷指外部;該釹鐵硼環(huán)形永磁體為水平移動(dòng),用于對(duì)待測(cè)量樣品提供可變的外加磁場(chǎng)強(qiáng)度。
其中在HeNe激光器的主光路上還有兩個(gè)平面反射鏡。
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- 專利分類
G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過端—不過端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
- 測(cè)量設(shè)備、測(cè)量系統(tǒng)及測(cè)量方法
- 測(cè)量裝置、測(cè)量配件和測(cè)量方法
- 測(cè)量尺的測(cè)量組件及測(cè)量尺
- 測(cè)量輔助裝置、測(cè)量裝置和測(cè)量系統(tǒng)
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