[發明專利]微波晶體管高溫老煉裝置有效
| 申請號： | 201110158020.8 | 申請日： | 2011-06-14 |
| 公開（公告）號： | CN102353883A | 公開（公告）日： | 2012-02-15 |
| 發明（設計）人： | 彭浩;黃杰;童亮;張艷杰;高金環 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第十三研究所 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 石家莊國為知識產權事務所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 微波 晶體管 高溫 裝置 | ||
1.一種微波晶體管高溫老煉裝置，其特征在于：包括鋁外殼（1）、下陶瓷基板（2）、兩個L型銅柱（3）和上陶瓷基板（4）；所述鋁外殼（1）的左右兩側壁上帶有豎向防自激凹槽（5）；所述鋁外殼（1）的前壁上設有兩個與所述L型銅柱（3）相適配的方形孔（6）；所述兩個方形孔之間設有一個螺紋孔（7）；在所述鋁外殼（1）的內底面設有一個向上突出的與微波三極管底座同樣大小的支座（8）；
所述下陶瓷基板（2）的上表面設有與兩個L型銅柱（3）相適配的相對排放的兩個L型第一凹槽（9）；所述第一凹槽（9）短臂之間的位置設有一個與支座（8）相適配的第一固定孔（10）；
所述上陶瓷基板（4）的下表面設有分別與所述第一凹槽（9）和所述第一固定孔（10）相對應的第二凹槽（11）和第二固定孔（12）；所述兩個L型銅柱（3）的長臂端上方分別設有一個與外部電路相連接的通孔（13）；
所述上陶瓷基板（4）、兩個L型銅柱（3）和下陶瓷基板（2）由上至下依次放置于鋁制外殼（1）內；所述兩個L型銅柱（3）放在上陶瓷基板（4）和下陶瓷基板（2）之間的第一凹槽（9）和第二凹槽（11）內；所述兩個L型銅柱（3）的兩個長臂分別從所述鋁制外殼（1）前壁上的兩個方形孔（6）中伸出。
2.根據權利要求１所述的微波晶體管高溫老煉裝置，其特征在于：所述孔（7）是光孔或螺紋孔。
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