[發明專利]晶片的減薄方法

有效

• 申請號: 201110152394.9
• 申請日: 2011-06-08
• 公開（公告）號: CN102820218A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: 謝紅梅;劉煊杰
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

技術領域

本發明涉及半導體制造工藝，尤其涉及一種晶片的減薄方法。

背景技術

晶片減薄在半導體制造領域有廣泛的應用，包括微機電系統（MEMS）、LED芯片及其封裝、CMOS圖像傳感芯片（CIS）和其它晶片級封裝等。

圖1A-1B示出了現有的對晶片進行減薄的工藝流程中各步驟的剖視圖。如圖1A所示，通過膠合等工藝將待減薄的晶片102固定在處理晶片101上。如圖1B所示，對待減薄的晶片102進行研磨。采用上述工藝將待減薄的晶片減薄到100???????????????????????????????????????????????以下時，待減薄的晶片的邊緣區域開始出現破損現象。晶片通常為晶體，當晶片的邊緣出現破裂時，裂紋會沿晶向逐漸延長，最終可能導致整個晶片斷裂。為了使半導體器件具有良好的性能，當待減薄的晶片的目標厚度小于100時，采用現有技術的方法則無法實現。

因此，需要一種晶片的減薄方法，以解決現有技術中存在的問題。

發明內容

為了解決現有技術中存在的無法將晶片減薄至合適厚度的問題，本發明提出了一種晶片的減薄方法，包括：將待減薄的晶片固定到處理晶片的表面上；對所述待減薄的晶片進行減薄，使其具有第一厚度；在所述待減薄的晶片的表面形成覆蓋其中心區域的光刻膠層；去除未被所述光刻膠層覆蓋的所述待減薄的晶片；去除所述光刻膠層；以及對所述待減薄的晶片進行減薄，使其具有第二厚度。

優選地，采用研磨方法對所述待減薄的晶片進行減薄。

優選地，所述第一厚度為100-150。

優選地，所述光刻膠層的形成方法包括：在所述待減薄的晶片的整個表面涂覆光刻膠；以及邊洗去除所述待減薄的晶片表面上邊緣區域的光刻膠，以形成覆蓋所述中心區域的所述光刻膠層。

優選地，所述光刻膠層的邊緣與所述待減薄的晶片的邊緣之間的距離小于等于3mm。

優選地，所述光刻膠層的邊緣與所述待減薄的晶片的邊緣之間的距離為0.5-3mm。

優選地，去除未被所述光刻膠層覆蓋的所述待減薄的晶片的方法為單面濕法刻蝕。

優選地，所述單面濕法刻蝕是向所述光刻膠層表面中央或接近中央的區域噴涂刻蝕劑，且在所述噴涂過程中使所述待減薄的晶片旋轉。

優選地，所述第二厚度小于100。

優選地，所述第二厚度為20-50。

采用根據本發明的方法在保證待減薄的晶片不破裂的前提下，可以將待減薄的晶片減薄至100以下，其厚度甚至可以達到20-50，保證隨后制作的半導體器件的性能。

附圖說明

本發明的下列附圖在此作為本發明的一部分用于理解本發明。附圖中示出了本發明的實施例及其描述，用來解釋本發明的原理。在附圖中，

圖1A-1B為現有的對晶片進行減薄的工藝流程中各步驟的剖視圖；

圖2A-2F為根據本發明一個實施方式對晶片進行減薄的工藝流程中各步驟所獲得的器件的剖視圖。

具體實施方式

接下來，將結合附圖更加完整地描述本發明，附圖中示出了本發明的實施例。但是，本發明能夠以不同形式實施，而不應當解釋為局限于這里提出的實施例。相反地，提供這些實施例將使公開徹底和完全，并且將本發明的范圍完全地傳遞給本領域技術人員。在附圖中，為了清楚，層和區的尺寸以及相對尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標記表示相同的元件。?

圖2A-2F為根據本發明一個實施方式對晶片進行減薄的工藝流程中各步驟所獲得的器件的剖視圖。下面將結合圖2A-2F來詳細說明本發明的方法。

如圖2A所示，將待減薄的晶片202固定到處理晶片201的表面上。

待減薄的晶片202可以是以下所提到的材料中的至少一種：硅、絕緣體上硅（SOI）、絕緣體上層疊硅（SSOI）、絕緣體上層疊鍺化硅（S-SiGeOI）、絕緣體上鍺化硅（SiGeOI）以及絕緣體上鍺（GeOI）等。雖然圖2A中未示出，但是待減薄的晶片202上可以形成有MEMS器件和/或CMOS器件等。其中，MEMS器件可以為完整的器件或者未制備完成的器件結構，CMOS器件例如是晶體管（例如，NMOS和/或PMOS）等。此外，待減薄的晶片202上還可以包括與晶體管相關的電路，例如互聯層和層間介電層。