[發明專利]晶片的減薄方法有效
| 申請號： | 201110152394.9 | 申請日： | 2011-06-08 |
| 公開（公告）號： | CN102820218A | 公開（公告）日： | 2012-12-12 |
| 發明（設計）人： | 謝紅梅;劉煊杰 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/302 | 分類號： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;顧珊 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶片 方法 | ||
1.一種晶片的減薄方法，包括：
將待減薄的晶片固定到處理晶片的表面上；
對所述待減薄的晶片進行減薄，使其具有第一厚度；
在所述待減薄的晶片的表面形成覆蓋其中心區域的光刻膠層；
去除未被所述光刻膠層覆蓋的所述待減薄的晶片；
去除所述光刻膠層；以及
對所述待減薄的晶片進行減薄，使其具有第二厚度。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，采用研磨方法對所述待減薄的晶片進行減薄。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一厚度為100-150???????????????????????????????????????????????。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻膠層的形成方法包括：
在所述待減薄的晶片的整個表面涂覆光刻膠；以及
邊洗去除所述待減薄的晶片表面上邊緣區域的光刻膠，以形成覆蓋所述中心區域的所述光刻膠層。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻膠層的邊緣與所述待減薄的晶片的邊緣之間的距離小于等于3mm。
6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述光刻膠層的邊緣與所述待減薄的晶片的邊緣之間的距離為0.5-3mm。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，去除未被所述光刻膠層覆蓋的所述待減薄的晶片的方法為單面濕法刻蝕。
8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述單面濕法刻蝕是向所述光刻膠層表面中央或接近中央的區域噴涂刻蝕劑，且在所述噴涂過程中使所述待減薄的晶片旋轉。
9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二厚度小于100。
10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述第二厚度為20-50。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
