[發(fā)明專利]多點觸碰偵測方法及其裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110151770.2 | 申請日: | 2011-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN102810031A | 公開(公告)日: | 2012-12-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | 林招慶;祝林;黃柏勛 | 申請(專利權)人: | 升達科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/044 | 分類號: | G06F3/044 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019 | 代理人: | 壽寧;張華輝 |
| 地址: | 中國臺灣臺北*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多點 偵測 方法 及其 裝置 | ||
1.一種多點觸碰偵測方法,應用于一觸控板,該觸控板包含一基板,多個沿一第一方向布設于該基板的表面的第一電極列,及多個沿與該第一方向概呈垂直的第二方向布設于該基板的表面,并與該等第一電極列相錯開的第二電極列,且各該第一電極列包含多個相串聯(lián)的第一電極,各該第二電極列包含多個相串聯(lián)的第二電極,其特征在于:
該多點觸碰偵測方法包括:
(A)提供一第一電信號給各該第一電極列,并偵測該等第一電極列及該等第二電極列的電容變化,再提供一第二電信號給各該第二電極列,并偵測該等第一電極列及該等第二電極列的電容變化,以根據(jù)該等第一電極列和該等第二電極列的電容變化,決定候選的第一電極列及第二電極列;及
(B)提供一第三電信號給各該候選的第一電極列,并至少偵測各該候選的第一電極列與各該候選的第二電極列之間的電容變化,以根據(jù)至少各該候選的第一電極列與各該候選的第二電極列之間的電容變化,判定該觸控板上多點觸碰的位置。
2.如權利要求1所述的多點觸碰偵測方法,其特征在于:在步驟(A)中,當提供該第一電信號對各該第一電極列充放電時,該等第二電極列被接地,以偵測該等第一電極列的電容變化,而當提供該第二電信號對各該第二電極列充放電時,該等第一電極列被接地,以偵測該等第二電極列的電容變化。
3.如權利要求1所述的多點觸碰偵測方法,其特征在于:在步驟(B)中,是依序提供該第三電信號給各該候選的第一電極列,并依序對各該候選的第二電極列量測一第四電信號,以偵測各該候選的第一電極列與各該候選的第二電極列之間的電容變化。
4.如權利要求1所述的多點觸碰偵測方法,其特征在于:在步驟(B)中,是依序提供該第三電信號給各該候選的第一電極列,并同時對該等候選的第二電極列量測一第四電信號,以偵測各該候選的第一電極列與各該候選的第二電極列之間的電容變化。
5.如權利要求1所述的多點觸碰偵測方法,其特征在于:在步驟(B)中,是依序提供該第三電信號給各該候選的第一電極列,并同時對該等候選的第二電極列及其它非候選的第二電極列量測一第四電信號,以偵測該等候選的第一電極列及該等非候選的第二電極列與各該候選的第二電極列之間的電容變化。
6.如權利要求1所述的多點觸碰偵測方法,其特征在于:在步驟(B)中,是同時提供不同相位及不同頻率的該第三電信號給各該候選的第一電極列,并依序對各該候選的第二電極列量測一第四電信號,以偵測各該候選的第一電極列與各該候選的第二電極列之間的電容變化。
7.如權利要求1所述的多點觸碰偵測方法,其特征在于:在步驟(B)中,是同時提供不同相位或不同頻率的該第三電信號給各該候選的第一電極列,并依序對各該候選的第二電極列量測一第四電信號,以偵測各該候選的第一電極列與各該候選的第二電極列之間的電容變化。
8.如權利要求1所述的多點觸碰偵測方法,其特征在于:在步驟(B)中,是同時提供不同相位及不同頻率的該第三電信號給各該候選的第一電極列,并同時對該等候選的第二電極列量測一第四電信號,以偵測各該候選的第一電極列與各該候選的第二電極列之間的電容變化。
9.如權利要求1所述的多點觸碰偵測方法,其特征在于:在步驟(B)中,是同時提供不同相位或不同頻率的該第三電信號給各該候選的第一電極列,并同時對該等候選的第二電極列量測一第四電信號,以偵測各該候選的第一電極列與各該候選的第二電極列之間的電容變化。
10.如權利要求1所述的多點觸碰偵測方法,其特征在于:在步驟(B)中,是同時提供不同相位及不同頻率的該第三電信號給各該候選的第一電極列,并依序對該等候選的第二電極列及其它非候選的第二電極列量測一第四電信號,以偵測該等候選的第一電極列及該等非候選的第二電極列與各該候選的第二電極列之間的電容變化。
11.如權利要求1所述的多點觸碰偵測方法,其特征在于:在步驟(B)中,是同時提供不同相位或不同頻率的該第三電信號給各該候選的第一電極列,并依序對該等候選的第二電極列及其它非候選的第二電極列量測一第四電信號,以偵測該等候選的第一電極列及該等非候選的第二電極列與各該候選的第二電極列之間的電容變化。
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