[發(fā)明專利]光源模塊、背光單元、顯示設(shè)備以及照明設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110150273.0
• 申請(qǐng)日: 2011-06-03
• 公開（公告）號(hào): CN102330914A
• 公開（公告）日: 2012-01-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸一雨;郭昌勛;李孝珍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星LED株式會(huì)社
• 主分類號(hào): F21S8/00
• 分類號(hào): F21S8/00;F21V19/00;F21V9/10;F21Y101/02
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 丁業(yè)平;金小芳

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及使用量子點(diǎn)的光源模塊、采用該光源模塊的背光單元、顯示設(shè)備以及照明設(shè)備。

背景技術(shù)

量子點(diǎn)是直徑等于或小于約10nm的納米晶，其由半導(dǎo)體材料形成，并且會(huì)引起量子限制效應(yīng)。與常規(guī)的磷光體相比，量子點(diǎn)在較窄波段產(chǎn)生了更強(qiáng)的光。在受激電子從導(dǎo)帶過(guò)渡到價(jià)帶時(shí)，量子點(diǎn)發(fā)射光，并且量子點(diǎn)具有下列特征：即使是在相同的材料中，光的波長(zhǎng)也隨著粒度而變化。由于光的波長(zhǎng)隨著量子點(diǎn)的大小變化，因此可通過(guò)控制量子點(diǎn)的大小而獲得具有期望波長(zhǎng)區(qū)域的光。

量子點(diǎn)自然地協(xié)調(diào)分散在有機(jī)溶劑中。如果量子點(diǎn)沒有適當(dāng)分散或量子點(diǎn)暴露于氧氣或水分條件下，則其發(fā)光效率會(huì)降低。為了解決上述問題，已經(jīng)開發(fā)了利用有機(jī)材料或具有大的帶隙的材料來(lái)覆蓋量子點(diǎn)的方法。然而，考慮到工藝或成本，人們已經(jīng)指出上述方法在實(shí)用性方面存在問題。因此，需要更穩(wěn)定地利用具有較高發(fā)光性能的量子點(diǎn)的方法。例如，已提出了這樣一種方法，其通過(guò)將其中分散有量子點(diǎn)的有機(jī)溶劑或聚合物插入到聚合物單元或玻璃單元中，從而保護(hù)量子點(diǎn)不受氧氣或水分的影響，并嘗試將該方法用于照明設(shè)備中。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了能夠使用穩(wěn)定形式的量子點(diǎn)的光源模塊、采用該光源模塊的背光單元、顯示設(shè)備和照明設(shè)備。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了使用量子點(diǎn)的光源模塊，所述光源模塊包括：發(fā)光器件組件，其包括基板和安裝在基板上的多個(gè)發(fā)光器件芯片；以及量子點(diǎn)密封組件，其被設(shè)置在發(fā)光器件組件上并處于發(fā)光方向上，并且包括密封部件和由該密封部件密封的量子點(diǎn)。

量子點(diǎn)密封組件可直接粘合到發(fā)光器件組件上?；蛘?，量子點(diǎn)密封組件可與發(fā)光器件組件分開。在這種情況下，光源模塊還可包括用于支持量子點(diǎn)密封組件、并將量子點(diǎn)密封組件與發(fā)光器件組件分開的支持部件。

密封部件可為平板型管。另外，密封部件可為條型管。密封部件可為玻璃管或聚合物管。

所述多個(gè)發(fā)光器件芯片可成一行或多行排列。另外，所述多個(gè)發(fā)光器件芯片可按直線、曲線或預(yù)定圖案來(lái)排列。在這種情況下，密封部件可以形成為與多個(gè)發(fā)光器件芯片的排列相對(duì)應(yīng)的直線、曲線或預(yù)定圖案。

量子點(diǎn)可分散在有機(jī)溶劑或聚合物樹脂中。在這種情況下，有機(jī)溶劑可包含甲苯、氯仿和乙醇中的至少一種。另外，聚合物樹脂可包含環(huán)氧樹脂、硅樹脂、聚苯乙烯樹脂和丙烯酸酯樹脂中的至少一種。

量子點(diǎn)可包含硅(Si)基納米晶、II-VI族基化合物半導(dǎo)體納米晶、III-V族基化合物半導(dǎo)體納米晶、IV-VI族基化合物半導(dǎo)體納米晶、及其混合物中的一者。II-VI族基化合物半導(dǎo)體納米晶可由下列的一種化合物形成，該化合物選自由CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和HgZnSTe組成的組。III-V族基化合物半導(dǎo)體納米晶可由可由下列的一種化合物形成，該化合物選自由GaN、GaP、GaAs、AlN、AlP、AlAs、InN、InP、InAs、GaNP、GaNAs、GaPAs、AlNP、AlNAs、AlPAs、InNP、InNAs、InPAs、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlPAs、GaInNP、GaInNAs、GaInPAs、InAlNP、InAlNAs和InAlPAs組成的組。IV-VI族基化合物半導(dǎo)體納米晶可由SbTe形成。

量子點(diǎn)可包括其大小允許峰值波長(zhǎng)位于綠光波段的第一量子點(diǎn)。另外，量子點(diǎn)可包括其大小允許峰值波長(zhǎng)位于紅光波段的第二量子點(diǎn)。

多個(gè)發(fā)光器件芯片可為發(fā)光二極管(LED)芯片或有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)芯片。

發(fā)光器件組件可以是芯片直接組裝(chip?on?board)(COB)型組件。例如，基板可為印刷電路板(PCB)，并且可將所述多個(gè)發(fā)光器件芯片直接安裝在基板上。在這種情況下，光源模塊還可包括透光性樹脂封裝部分，該部分用于涂敷所述多個(gè)發(fā)光器件芯片并且是在基板上設(shè)置的。

基板可以是PCB，可將多個(gè)發(fā)光器件芯片中的每一個(gè)或多個(gè)封裝到芯片組件中，并可將芯片組件安裝在基板上。