[發明專利]光源模塊、背光單元、顯示設備以及照明設備

有效

• 申請號: 201110150273.0
• 申請日: 2011-06-03
• 公開（公告）號: CN102330914A
• 公開（公告）日: 2012-01-25
• 發明（設計）人: 樸一雨;郭昌勛;李孝珍
• 申請（專利權）人: 三星LED株式會社
• 主分類號: F21S8/00
• 分類號: F21S8/00;F21V19/00;F21V9/10;F21Y101/02
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 丁業平;金小芳

1.一種使用量子點的光源模塊，所述光源模塊包括：

發光器件組件，該發光器件組件包括基板和安裝在所述基板上的多個發光器件芯片；以及

量子點密封組件，該量子點密封組件設置在所述發光器件組件上并處于發光方向上，并且該量子點密封組件包括密封部件和被所述密封部件所密封的量子點。

2.權利要求1所述的光源模塊，其中所述量子點密封組件是被直接粘合到所述發光器件組件上的。

3.權利要求1所述的光源模塊，其中所述量子點密封組件與所述發光器件組件是分開的。

4.權利要求3所述的光源模塊，該光源模塊還包括支持部件，該支持部件用于支持所述量子點密封組件并將所述量子點密封組件與所述發光器件組件分開。

5.權利要求1所述的光源模塊，其中所述密封部件為條型管。

6.權利要求1所述的光源模塊，其中所述密封部件為平板型管。

7.權利要求1所述的光源模塊，其中所述密封部件為玻璃管或聚合物管。

8.權利要求1所述的光源模塊，其中所述多個發光器件芯片被排列成一行或多行。

9.權利要求1所述的光源模塊，其中所述多個發光器件芯片被排列成直線、曲線或預定圖案。

10.權利要求9所述的光源模塊，其中所述密封部件形成為與所述多個發光器件芯片的排列方式相對應的直線、曲線或預定圖案。

11.權利要求1所述的光源模塊，其中所述量子點分散在有機溶劑或聚合物樹脂中。

12.權利要求11所述的光源模塊，其中所述有機溶劑包含甲苯、氯仿和乙醇中的至少一種。

13.權利要求11所述的光源模塊，其中所述聚合物樹脂包含環氧樹脂、硅樹脂、聚苯乙烯樹脂和丙烯酸酯樹脂中的至少一種。

14.權利要求1所述的光源模塊，其中所述量子點包含硅(Si)基納米晶、II-VI族基化合物半導體納米晶、III-V族基化合物半導體納米晶、IV-VI族基化合物半導體納米晶及其混合物中的一種。

15.權利要求14所述的光源模塊，其中所述II-VI族基化合物半導體納米晶由下列的一種化合物形成，該化合物選自由CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和HgZnSTe組成的組。

16.權利要求14所述的光源模塊，其中所述III-V族基化合物半導體納米晶由下列的一種化合物形成，該化合物選自由GaN、GaP、GaAs、AlN、AlP、AlAs、InN、InP、InAs、GaNP、GaNAs、GaPAs、AlNP、AlNAs、AlPAs、InNP、InNAs、InPAs、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlPAs、GaInNP、GaInNAs、GaInPAs、InAlNP、InAlNAs和InAlPAs組成的組。

17.權利要求14所述的光源模塊，其中所述IV-VI族基化合物半導體納米晶由SbTe形成。

18.權利要求1所述的光源模塊，其中所述量子點包括第一量子點，該第一量子點的大小允許峰值波長位于綠光波段。

19.權利要求1所述的光源模塊，其中所述量子點包括第二量子點，該第二量子點的大小允許峰值波長位于紅光波段。

20.權利要求1所述的光源模塊，其中所述多個發光器件芯片為發光二極管(LED)芯片。

21.權利要求1所述的光源模塊，其中所述基板為印刷電路板(PCB)，并且

其中所述多個發光器件芯片被直接安裝在所述基板上。