[發明專利]晶片傳送裝置以及具有其的位置感應系統和可視檢查系統有效
| 申請號: | 201110148080.1 | 申請日: | 2011-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN102263160A | 公開(公告)日: | 2011-11-30 |
| 發明(設計)人: | 李暻植;金昌顯;林裁瑛 | 申請(專利權)人: | 韓美半導體株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/677;H01L21/66;G01S17/06 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;鐘強 |
| 地址: | 韓國仁*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 傳送 裝置 以及 具有 位置 感應 系統 可視 檢查 | ||
本申請要求2010年5月25日提交的韓國專利申請No.10-2010-0048360的權益,在此援引其內容,如本文中全部列出一樣。
技術領域
本發明涉及一種晶片傳送裝置以及具有其的位置感應系統和可視檢查系統,更具體地,涉及一種能夠在檢查晶片期間穩定地傳送晶片以改善總厚度變化測量的可靠性的晶片傳送裝置,以及具有其的位置感應系統和可視檢查系統。
背景技術
太陽能電池是一種使用半導體特性將太陽能轉換成電能的器件。太陽能電池配置成具有PN結結構,其中結合了正(P)型半導體和負(N)型半導體。當太陽光入射到太陽能電池上時,通過入射的太陽光能在半導體中產生空穴和電子。此時,通過在PN結處產生的電場,空穴(+)被移動到P型半導體側,而電子(-)被移動到N型半導體側,結果產生了電勢從而產生電功率。
太陽能電池可分類為薄膜型太陽能電池或者晶片型太陽能電池。
薄膜型太陽能電池是通過在諸如玻璃的基板上形成薄膜半導體而制造。晶片型太陽能電池是通過使用諸如硅的半導體材料作為晶片而制造。
薄膜型太陽能電池或者晶片型太陽能電池是通過在玻璃、透明塑料或者硅晶片(以下將‘玻璃、透明塑料或者硅晶片’統一稱作“晶片”)上形成用于PN結的半導體層并形成電連接到半導體層的正(+)電極和負(-)電極而制造。
而且,在晶片型太陽能電池中,還執行在其太陽光入射平面上形成抗反射層的工藝,以防止太陽光自PN結層反射,從而能通過PN結層傳輸太陽光。
使用沉積設備或者濺射設備(以下統一稱作工藝設備)形成半導體層、電極層和抗反射層。
在處理晶片的工藝之前或之后,可執行檢查晶片上的殘留污染物或者晶片缺陷如裂縫的工藝。
特別是,為了降低成本,用于制造太陽能電池的晶片厚度已經越來越小。結果,在制造太陽能電池期間損壞晶片的可能性增加。
盡管在太陽能電池制造期間損壞了晶片,但如果不檢查晶片缺陷而對晶片執行一工藝,,在晶片上存在裂縫或者在晶片表面上留有污染物,要在需要更多成本的隨后工藝之后處置缺陷晶片。也就是說,對必須要被處置的晶片執行了不必要的工藝。因此,浪費了材料且使得工藝復雜化,結果太陽能電池生產效率降低且浪費成本。
而且,除了檢查晶片上殘留污染物的工藝或者檢查晶片裂縫的工藝之外,可能執行檢查晶片總厚度變化(或扭擠)的工藝。
因此,非常重要的是在制造太陽能電池期間檢查晶片質量。如果在晶片表面上留有污染物,在晶片處存在裂縫,或者晶片的總厚度變化不均勻,那么即使對晶片執行隨后工藝,產品也不會顯示出理想性能。因此,優選的是在執行隨后工藝之前檢查晶片并且只要確定晶片是有缺陷的就處置該晶片。
檢查晶片總厚度變化的工藝是在被檢查的晶片保持平坦的條件下執行的。
但是,晶片厚度已經越來越薄。在測量晶片厚度期間,由于重力或者由于傳送晶片的傳送帶彎曲而不能確保晶片的平坦狀態。
如果不能確保被檢查的晶片的平坦狀態,則降低了總厚度變化測量的可靠性,這導致太陽能電池生產效率降低以及成本浪費。
而且,晶片檢查工藝是在使用自動設備傳送晶片期間執行的。
如果由于晶片變得非常薄導致不能穩定地支撐由自動傳送裝置高速傳送的晶片,則會發生晶片滑移,結果可能損壞晶片。而且,在傳送晶片期間發生故障會降低檢查工藝的效率。
發明內容
本發明涉及一種晶片傳送裝置以及具有其的位置感應系統和可視檢查系統,其基本避免了由于現有技術的限制和缺點導致的一個或多個問題。
本發明的優點、目的和特征將部分在下文的說明書中列出,而部分將在本領域技術人員查閱了下文后顯而易見,或者可通過實踐本發明而知曉??赏ㄟ^說明書及其權利要求書以及所附附圖中特別指出的結構認識和獲知本發明的目的和其他優點。
為了實現這些目的和其他優點以及根據本發明的目的,如本文所體現以及廣泛描述的,晶片傳送裝置包括:傳送帶,用于在晶片放在傳送帶上的狀態下傳送晶片;一對驅動傳送帶的帶輪,和設在傳送帶內部空間中的抽吸組塊(suction?block),用于將吸力施加到傳送帶的內表面。
傳送帶可水平設置,并且抽吸組塊可將吸力施加到傳送帶內表面的上部。
而且,傳送帶可包括第一傳送帶和第二傳送帶,以及抽吸組塊可包括分別設在第一傳送帶內部空間中和第二傳送帶內部空間中的第一抽吸組塊和第二抽吸組塊。
第一傳送帶和第二傳送帶可通過相同驅動電機驅動。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于韓美半導體株式會社,未經韓美半導體株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110148080.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





