[發明專利]半導體封裝結構

有效

• 申請號: 201110147464.1
• 申請日: 2011-06-02
• 公開（公告）號: CN102810618A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發明（設計）人: 張超雄
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/50
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種半導體封裝結構，尤其涉及一種發光強度及色溫較為均勻的半導體封裝結構。

背景技術

半導體封裝的LED產業是近幾年最受矚目的產業之一，發展至今，LED產品已具有節能、省電、高效率、反應時間快、壽命周期時間長、且不含汞、具有環保效益等優點。然而一般半導體封裝結構中半導體晶粒的發光特性，在所述半導體晶粒發出的光線中，以正向發出的正向光的光線強度較強，其余角度或是方向所發出的光線通常較弱，因此該半導體封裝結會有光線強度分配不均勻的現象。所述半導體晶粒發出的光線主要在于照射所述半導體封裝結的熒光層，以激發產生所述發光的色溫及彩度。但是，所述半導體封裝結的熒光層具有密度分布均勻的熒光粉，所述光線強度分配不均勻的半導體晶粒對應著所述密度分布均勻的熒光粉層照射，由于光激發效率的不一致，從而將使所述半導體封裝結的發光容易有色偏，或是造成CIE色彩空間無法達到效果集中的問題。所述半導體晶粒正向光的光線強度較強的發光特性要難改變，故應針對所述半導體封裝結構設法改善。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種能對應半導體晶粒發光特性的半導體封裝結構。

一種半導體封裝結構，包括一個基板、至少一個半導體晶粒以及一個熒光層。所述基板包括有一個第一電極、一個第二電極及一個反射層，所述反射層設置于所述第一、二電極上。所述半導體晶粒設置于所述反射層內部的所述第一電極上，并與所述第一、二電極電性連接。所述熒光層設置于所述反射層內部，并覆蓋所述半導體晶粒。所述熒光層包括一個第一熒光層以及一個第二熒光層，所述第一、二熒光層具有不同的熒光粉密度。

一種半導體封裝結構制程，其包括以下的步驟，

提供一個基板，在所述基板上設置一個第一電極以及一個第二電極，并在所述第一、二電極上設置一個反射層；

設置至少一個半導體晶粒，在所述第一電極上，并使所述半導體晶粒與所述第一、二電極電性連接；

設置一個篩網，在所述反射層上，所述篩網包括一個第一區域以及一個第二區域，所述第一區域篩孔的孔徑大于所述第二區域篩孔的孔徑；

形成一個熒光層，在所述反射層內部，并覆蓋所述半導體晶粒，所述熒光層對應所述篩網形成一個第一熒光層以及一個第二熒光層；及

移除所述篩網，固化所述熒光層。

在上述的半導體封裝結構及制程中，由于所述篩網上兩個不同區域具有不同孔徑的篩孔，形成所述第一、二熒光層具有不同的熒光粉密度，使熒光粉密度較高的熒光層，對應所述半導體晶粒光線強度較強的正向光，而半導體晶粒光線較弱的部分則對應熒光粉密度較低的熒光層，從而可以增加所述半導體晶粒正向光的光線激發效能，避免所述半導體封裝結構發出的光線產生色偏，同時能使CIE色彩空間達到集中的效果。

附圖說明

圖1是本發明半導體封裝結構的組合剖視圖。

圖2是圖1半導體封裝結構的俯視圖。

圖3是圖1半導體封裝結構的第一熒光層部分放大剖視圖。

圖4是本發明半導體封裝結構制程的步驟流程圖。

圖5是對應圖4設置一個篩網步驟的剖視圖。

圖6是對應圖4形成一個熒光層步驟的剖視圖。

主要元件符號說明