[發(fā)明專利]半導體封裝結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110147464.1
• 申請日: 2011-06-02
• 公開（公告）號: CN102810618A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發(fā)明（設計）人: 張超雄
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/50
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體封裝結構，包括一個基板、至少一個半導體晶粒以及一個熒光層，所述基板包括有一個第一電極、一個第二電極及一個反射層，其特征在于：所述反射層設置于所述第一、二電極上，所述半導體晶粒設置于所述反射層內部的所述第一電極上，并與所述第一、二電極電性連接，所述熒光層設置于所述反射層內部，并覆蓋所述半導體晶粒，所述熒光層包括一個第一熒光層以及一個第二熒光層，所述第一、二熒光層具有不同的熒光粉密度。

2.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述第一電極與所述第二電極左右對稱設置，并分別具有一個頂面，所述頂面設置所述反射層，所述反射層環(huán)繞于所述基板的周圍。

3.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述反射層的材料為反射材料或是高分子的材料，例如，PPA(Polyphthalamide)?塑料。

4.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述半導體晶粒通過導電線分別與所述第一電極及所述第二電極電性連接。

5.如權利要求4所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述半導體晶粒為發(fā)光二極管，其具有一個長度，并具有一個正向光的發(fā)光角度。

6.如權利要求5所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述半導體晶粒正向光的發(fā)光角度為一百度至一百三十度之間。

7.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述第一熒光層對應所述半導體晶粒正向光的發(fā)光角度，所述第二熒光層環(huán)繞于所述第一熒光層的周圍。

8.如權利要求7所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述第一熒光層為一個圓柱狀，覆蓋在所述半導體晶粒上，所述第一熒光層圓柱狀具有一個高度以及一個直徑，所述直徑符合下列關系式：

D=[2×(tanθ?H)?+?d]?，其中

D為所述第一熒光層圓柱狀的直徑，

θ為所述半導體晶粒的側光角度，所述側光角度θ=(180-ψ)/2，其中

ψ為所述半導體晶粒正向光的發(fā)光角度，

H為所述第一熒光層圓柱狀的高度，所述圓柱狀高度等于所述反射層高度，

d為所述半導體晶粒的長度。

9.一種半導體封裝結構制程，其包括以下的步驟：

提供一個基板，在所述基板上設置一個第一電極以及一個第二電極，并在所述第一、二電極上設置一個反射層；

設置至少一個半導體晶粒，在所述第一電極上，并使所述半導體晶粒與所述第一、二電極電性連接；

設置一個篩網，在所述反射層上，所述篩網包括一個第一區(qū)域以及一個第二區(qū)域，所述第一區(qū)域篩孔的孔徑大于所述第二區(qū)域篩孔的孔徑；

形成一個熒光層，在所述反射層內部，并覆蓋所述半導體晶粒，所述熒光層對應所述篩網形成一個第一熒光層以及一個第二熒光層；及

移除所述篩網，固化所述熒光層。

10.如權利要求9所述的半導體封裝結構制程，其特征在于：所述提供一個基板步驟中，所述反射層是以模造成型方式成型，或與所述基板一體成型。

11.如權利要求9所述的半導體封裝結構制程，其特征在于：所述設置一個篩網步驟中，所述所述第一區(qū)域對應所述半導體晶粒設置的位置，所述第二區(qū)域環(huán)繞于所述第一區(qū)域的周圍。

12.如權利要求11所述的半導體封裝結構制程，其特征在于：所述第一區(qū)域設置于所述篩網的中央位置并具有一個直徑，所述直徑符合下列關系式：

E=[2×(tanθ?H)?+?d]，其中

E為所述第一區(qū)域的直徑，

θ為所述半導體晶粒的側光角度，所述側光角度θ=(180-ψ)/2，其中

ψ為所述半導體晶粒正向光的發(fā)光角度，

H為所述反射層高度，

d為所述半導體晶粒的長度。

13.如權利要求9所述的半導體封裝結構制程，其特征在于：所述形成一個熒光層步驟中，所述所述第一熒光層對應所述篩網的所述第一區(qū)域形成，所述第二熒光層對應所述篩網的第二區(qū)域形成。

14.如權利要求9所述的半導體封裝結構制程，其特征在于：所述形成一個熒光層步驟中，所述熒光層以射出成型方式成型。