[發(fā)明專利]晶體管的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110145405.0
• 申請日: 2011-05-31
• 公開（公告）號: CN102810478A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張翼英;何其旸
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/3105;H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種晶體管的形成方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，形成位于所述半導(dǎo)體襯底表面的柵極結(jié)構(gòu)，以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成第一開口；

其特征在于，還包括：

形成覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)和第一開口的側(cè)壁的第一犧牲側(cè)墻、以及覆蓋所述第一犧牲側(cè)墻的第二犧牲側(cè)墻；

以所述第一犧牲側(cè)墻、第二犧牲側(cè)墻為掩膜氧化所述第一開口底部的半導(dǎo)體襯底形成保護(hù)層；

去除所述第一犧牲側(cè)墻和第二犧牲側(cè)墻；

刻蝕所述第一開口的側(cè)壁的半導(dǎo)體襯底形成第二開口；

去除所述保護(hù)層。

2.一種如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括：位于所述半導(dǎo)體襯底表面的柵介質(zhì)層、位于所述柵介質(zhì)層表面的柵電極層及位于所述柵介質(zhì)層和柵電極層兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底表面的側(cè)墻。

3.一種如權(quán)利要求2所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述柵電極層的材料為多晶硅或金屬材料。

4.一種如權(quán)利要求2所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一犧牲側(cè)墻的材料與側(cè)墻的材料不同，且所述第二犧牲側(cè)墻的材料與第一犧牲側(cè)墻、保護(hù)層的材料不同。

5.一種如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一犧牲側(cè)墻的材料為多晶硅，第二犧牲側(cè)墻的材料為氮化硅或所述第一犧牲側(cè)墻的材料為氧化硅，第二犧牲側(cè)墻的材料為氮化硅。

6.一種如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述保護(hù)層的材料為氧化硅，所述保護(hù)層的厚度為50～200

7.一種如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述保護(hù)層的形成工藝為等離子體氧化工藝或熱氧化工藝，所述熱氧化工藝的形成步驟為：在溫度大于855K的條件下，通入氧氣對所述半導(dǎo)體襯底的硅表面進(jìn)行氧化。

8.一種如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，去除所述保護(hù)層的方法為濕法刻蝕，所述濕法刻蝕采用的化學(xué)試劑為氫氟酸。

9.一種如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，去除所述第一犧牲側(cè)墻和第二犧牲側(cè)墻的方法為濕法刻蝕或等離子體轟擊去除工藝。

10.一種如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一開口的深度為500～700所述第一開口的形成工藝為干法刻蝕。

11.一種如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二開口的形狀為“∑”，所述第二開口的形成工藝為濕法刻蝕，所述濕法刻蝕采用的化學(xué)試劑為四甲基氫氧化氨。