[發(fā)明專利]半導體封裝件及其制法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110145265.7 | 申請日: | 2011-05-24 |
| 公開(公告)號: | CN102779920A | 公開(公告)日: | 2012-11-14 |
| 發(fā)明(設計)人: | 盧勝利;王日富;陳賢文;楊貫榆;王云漢 | 申請(專利權)人: | 矽品精密工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L25/16;H01C7/10;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 封裝 及其 制法 | ||
1.一種半導體封裝件,包括:
基板,具有相對的第一表面及第二表面;
第一線路層,形成于該基板的部分第一表面上;
第二線路層,形成于該基板的部分第二表面上,且具有多個電性接觸墊;
導電路徑,電性連接該第一及第二線路層;
電性保護層,形成于該基板的部分第二表面上并電性連接該第二線路層;
芯片,設于該基板的第一表面上,且電性連接該第一線路層,以電性導通至該第二線路層;以及
封裝膠體,形成于該基板的第一表面及第一線路層上,以包覆該芯片,且外露出各該電性接觸墊。
2.根據權利要求1所述的半導體封裝件,其特征在于,該電性保護層的材質為金屬氧化物。
3.根據權利要求1所述的半導體封裝件,其特征在于,該芯片為發(fā)光二極管芯片。
4.根據權利要求1所述的半導體封裝件,其特征在于,該導電路徑貫穿該基板的導電通孔。
5.根據權利要求1所述的半導體封裝件,其特征在于,該基板還具有相鄰于該第一與第二表面的側面,且該導電路徑形成于該側面上的導電層。
6.根據權利要求5所述的半導體封裝件,其特征在于,該封裝膠體還形成于該導電層上。
7.根據權利要求4或5所述的半導體封裝件,其特征在于,該基板還具有位于該第一表面上的凹槽,且該芯片設于該凹槽的底面上,而該第一線路層還形成于該凹槽的部分底面上。
8.根據權利要求7所述的半導體封裝件,其特征在于,該封裝膠體形成于該凹槽中。
9.根據權利要求1所述的半導體封裝件,還包括散熱層,設于該第二線路層上。
10.根據權利要求1所述的半導體封裝件,還包括電源,其電性連接該些電性接觸墊,以令該電性保護層與該芯片并聯(lián)。
11.一種半導體封裝件的制法,包括:
提供一具有相對的第一表面及第二表面的基板;
形成電性保護層于該基板的部分第二表面上;
形成第一線路層于該基板的部分第一表面上,且形成第二線路層于該基板的部分第二表面上并電性連接該電性保護層,該第一及第二線路層通過導電路徑而相互電性連接,又該第二線路層具有多個電性接觸墊;
設置芯片于該基板的第一表面上,且電性連接該芯片與第一線路層,以令該芯片電性導通至該第二線路層;以及
形成封裝膠體于該基板的第一表面及第一線路層上,以包覆該芯片,且外露出各該電性接觸墊。
12.根據權利要求11所述的半導體封裝件的制法,其特征在于,該電性保護層的材質為金屬氧化物。
13.根據權利要求11所述的半導體封裝件的制法,其特征在于,該芯片為發(fā)光二極管芯片。
14.根據權利要求11所述的半導體封裝件的制法,其特征在于,該導電路徑貫穿該基板的導電通孔。
15.根據權利要求11所述的半導體封裝件的制法,其特征在于,該基板還具有相鄰于該第一與第二表面的側面,且該導電路徑于該側面上形成導電層。
16.根據權利要求15所述的半導體封裝件的制法,其特征在于,該導電層、第一及第二線路層為一體成形。
17.根據權利要求15所述的半導體封裝件的制法,其特征在于,該封裝膠體還形成于該導電層上。
18.根據權利要求14或15所述的半導體封裝件的制法,其特征在于,該基板還具有位于該第一表面上的凹槽,且該芯片設于該凹槽的底面上,而該第一線路層還形成于該凹槽的部分底面上。
19.根據權利要求18所述的半導體封裝件的制法,其特征在于,該封裝膠體形成于該凹槽中。
20.根據權利要求11所述的半導體封裝件的制法,還包括形成散熱層于該第二線路層上。
21.根據權利要求11所述的半導體封裝件的制法,還包括于形成該封裝膠體之后,接置電源于該些電性接觸墊上,以令該電性保護層與該芯片并聯(lián)。
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