[發(fā)明專利]一種對(duì)不同曝光設(shè)備各層次的焦距的匹配方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110143796.2
• 申請(qǐng)日: 2011-05-31
• 公開（公告）號(hào): CN102809901A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳剛;黃瑋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種對(duì)不同曝光設(shè)備各層次的焦距的匹配方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體制造產(chǎn)量日趨增加的今天，對(duì)于光刻來說，曝光設(shè)備的數(shù)量也會(huì)日趨增加，以適應(yīng)產(chǎn)量的提升，伴隨著曝光設(shè)備的增多，對(duì)于工程師設(shè)置類似焦距(Focus)這樣的參數(shù)所花費(fèi)的時(shí)間也會(huì)相應(yīng)地增大。由于各工藝及各層次對(duì)于不同的曝光設(shè)備選取的焦距均有差異，目前對(duì)于工程師來說，只能對(duì)各工藝及各層次的各曝光設(shè)備一一手動(dòng)輸入焦距，其花費(fèi)時(shí)間較多并且發(fā)生錯(cuò)誤的概率相對(duì)較高，從而導(dǎo)致晶片返工及報(bào)廢的概率相對(duì)增加。

對(duì)于目前各工藝，各層次及各曝光設(shè)備之間焦距不匹配的情況下，光刻工程師會(huì)在光刻部門專用的R2R反饋系統(tǒng)中手動(dòng)輸入不同的焦距，以滿足各曝光設(shè)備之間焦距不匹配的現(xiàn)象。例如新生成的部件(Part)，其包含25層(layer)，對(duì)于這25層工程師需要檢查每一層對(duì)不同機(jī)臺(tái)的焦距，再手動(dòng)一一輸入每一層對(duì)每一臺(tái)曝光設(shè)備的焦距，這將造成工程師較大的負(fù)擔(dān)。如果對(duì)同一層所有曝光設(shè)備設(shè)置為同一焦距，由于曝光設(shè)備之間焦距存在差異，容易導(dǎo)致光刻超出規(guī)格界限以及晶片結(jié)構(gòu)相對(duì)較差，影響到晶片的良率。

為了解決上述問題，很有必要提供一種改進(jìn)的對(duì)不同曝光設(shè)備各層次的焦距的匹配方法。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的是提供一種改進(jìn)的對(duì)不同曝光設(shè)備各層次的焦距的匹配方法。

本發(fā)明的目的通過提供以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：一種對(duì)不同曝光設(shè)備各層次的焦距的匹配方法，其特征在于：采用一種具有依機(jī)臺(tái)焦距轉(zhuǎn)變功能和設(shè)備匹配參數(shù)功能的R2R反饋系統(tǒng)，其中依機(jī)臺(tái)焦距轉(zhuǎn)變功能是對(duì)同工藝的同層次的焦距轉(zhuǎn)變預(yù)先設(shè)置在模板里，對(duì)于新生成的部件自動(dòng)導(dǎo)入即可；設(shè)備匹配參數(shù)功能是曝光設(shè)備焦距由于種種原因轉(zhuǎn)變時(shí)，可以直接在設(shè)備匹配參數(shù)功能里加入焦距轉(zhuǎn)變量。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：通過在R2R反饋系統(tǒng)中增加依機(jī)臺(tái)焦距轉(zhuǎn)變功能和設(shè)備匹配參數(shù)功能，可以減少工程師負(fù)擔(dān)并且提升產(chǎn)品良率。

具體實(shí)施方式

以下用優(yōu)選實(shí)施方式來說明本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)過程和本質(zhì)內(nèi)容所在。

本發(fā)明的技術(shù)方案是：由技術(shù)部門更新目前光刻部門所采用的R2R反饋系統(tǒng)，增加依機(jī)臺(tái)焦距轉(zhuǎn)變(Focus?shift?by?EQP)功能和設(shè)備匹配(Tool?match)參數(shù)功能。其中依機(jī)臺(tái)焦距轉(zhuǎn)變功能，只要對(duì)同工藝的同層次的焦距轉(zhuǎn)變預(yù)先在模板里設(shè)置完成，對(duì)于新生成的部件(part)自動(dòng)導(dǎo)入即可，既能減少工程師的負(fù)擔(dān)，也能減少每次設(shè)置的風(fēng)險(xiǎn)。設(shè)備匹配參數(shù)功能，當(dāng)曝光設(shè)備焦距由于種種原因轉(zhuǎn)變時(shí)，可以直接在設(shè)備匹配參數(shù)功能里加入焦距轉(zhuǎn)變量，避免對(duì)所有部件的層次進(jìn)行重新更新，可以減少工程師大量的負(fù)擔(dān)。

當(dāng)本發(fā)明的以上兩種功能同時(shí)使用時(shí)，焦距的下貨值＝工作數(shù)值+各工藝的各層次的焦距轉(zhuǎn)變量+設(shè)備匹配參數(shù)。本發(fā)明的關(guān)鍵點(diǎn)在于更新光刻部門的R2R反饋系統(tǒng)，使其在有新部件生成時(shí)，可以自動(dòng)導(dǎo)入模板里預(yù)設(shè)好好的焦距轉(zhuǎn)變量，而不再需要人為針對(duì)每一機(jī)臺(tái)設(shè)定不同的焦距。而曝光設(shè)備在工作中出現(xiàn)機(jī)臺(tái)焦距轉(zhuǎn)變時(shí)，可以直接修改R2R反饋系統(tǒng)中設(shè)備匹配參數(shù)，以隨時(shí)使產(chǎn)品的焦距處在最佳焦距位置。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于可以節(jié)約人力，減少工程師負(fù)擔(dān)，并且可以避免人為因素造成的產(chǎn)品光刻超出規(guī)格界限以及晶片結(jié)構(gòu)異常，從而提升了產(chǎn)品良率，有利于提高生產(chǎn)效率降低生產(chǎn)成本。

盡管為示例目的，已經(jīng)公開了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將意識(shí)到，在不脫離由所附的權(quán)利要求書公開的本發(fā)明的范圍和精神的情況下，各種改進(jìn)、增加以及取代是可能的。