[發(fā)明專利]WSI線性顆粒的解決方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110143790.5
• 申請(qǐng)日: 2011-05-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102810458A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂淑瑞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無(wú)錫華潤(rùn)上華半導(dǎo)體有限公司;無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種WSI(硅化鎢)線性顆粒的解決方法。

背景技術(shù)

目前使用的WSI-DEP(硅化鎢蝕刻)前的濕法清洗菜單，會(huì)帶來(lái)線性顆粒，導(dǎo)致WSI-DEP后出現(xiàn)線性WSI鼓包，進(jìn)而在多晶硅蝕刻后出現(xiàn)多晶硅殘留現(xiàn)象?，F(xiàn)有工藝為圓片在酸槽(酸液成份為HF∶H2O＝1∶50)中清洗1800S，然后沖水并甩干，但WSI淀積后發(fā)現(xiàn)圓片出現(xiàn)嚴(yán)重的線性顆粒問(wèn)題。

若將原來(lái)的清洗時(shí)間降低到60S，同時(shí)將清洗前一步的等待時(shí)間限制在6小時(shí)以內(nèi)，其他條件不變，同樣能達(dá)到工藝要求，并且發(fā)現(xiàn)線形顆粒問(wèn)題有所改善，但該問(wèn)題未能徹底解決，因?yàn)槿匀挥谐潭容^輕的線形顆粒出現(xiàn)。

為了解決上述問(wèn)題，很有必要提供一種改進(jìn)的WSI線性顆粒的解決方法。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的是提供一種能消除WSI線形顆粒的解決方法。

本發(fā)明的目的通過(guò)提供以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：一種消除WSI線形顆粒的解決方法，其特征在于：首先將圓片放入酸槽的酸液中，酸液的成份為HF∶H2O＝1∶50并且酸液處于循環(huán)狀態(tài)；其次，每隔20S提起圓片一次，讓循環(huán)的酸液充分帶走顆粒；然后，再次將圓片放入酸液內(nèi)，這樣N個(gè)循環(huán)(N＞1)后將圓片沖水且甩干。

進(jìn)一步地，N＝3時(shí)工藝效果最佳。

再進(jìn)一步地，每次提起圓片時(shí)可以加入沖水及甩干流程。

再進(jìn)一步地，整個(gè)流程為自動(dòng)完成。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：本方法能完全消除WSI線形顆粒，從而防止多晶硅蝕刻后殘留產(chǎn)生。

具體實(shí)施方式

以下用優(yōu)選實(shí)施方式來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)過(guò)程和本質(zhì)內(nèi)容所在。

為了消除WSI線形顆粒，首先保證酸槽中的酸液成份為HF∶H2O＝1∶50，并且酸液處于循環(huán)狀態(tài)。其次將圓片放入酸槽的酸液內(nèi)，每隔20S圓片被提起一次，使酸液循環(huán)更加充分地帶走顆粒；圓片再次放入酸液內(nèi)，這樣N個(gè)循環(huán)(N＞1)后圓片沖水且甩干，圓片既可以達(dá)到蝕刻的工藝目的，又能減少顆粒黏附在圓片上。經(jīng)過(guò)多次實(shí)驗(yàn)后發(fā)現(xiàn)，當(dāng)N＝3時(shí)，工藝效果最佳且能完全消除WSI線形顆粒，從而防止多晶硅蝕刻后殘留產(chǎn)生。為了更好地提高生產(chǎn)效率，在目前的清洗設(shè)備中可以增加自動(dòng)作業(yè)功能，讓整個(gè)流程自動(dòng)完成。

當(dāng)然，圓片每次被提起的時(shí)候也可以馬上進(jìn)行沖水和甩干流程，同樣可以達(dá)到消除WSI線形顆粒的效果。

盡管為示例目的，已經(jīng)公開(kāi)了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將意識(shí)到，在不脫離由所附的權(quán)利要求書公開(kāi)的本發(fā)明的范圍和精神的情況下，各種改進(jìn)、增加以及取代是可能的。