[發明專利]WSI線性顆粒的解決方法在審
| 申請號： | 201110143790.5 | 申請日： | 2011-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN102810458A | 公開（公告）日： | 2012-12-05 |
| 發明（設計）人： | 呂淑瑞 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華半導體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | wsi 線性 顆粒 解決方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種消除WSI線形顆粒的解決方法，其特征在于：首先將圓片放入酸槽的酸液中，酸液的成份為HF∶H2O＝1∶50并且酸液處于循環狀態；其次，每隔20S提起圓片一次，讓循環的酸液充分帶走顆粒；然后，再次將圓片放入酸液內，這樣N個循環(N＞1)后將圓片沖水且甩干。
2.如權利要求1所述的消除WSI線形顆粒的解決方法，其特征在于：N＝3時工藝效果最佳。
3.如權利要求1所述的消除WSI線形顆粒的解決方法，其特征在于：每次提起圓片時可以加入沖水及甩干流程。
4.如權利要求1至3中任一項所述的消除WSI線形顆粒的解決方法，其特征在于：整個流程為自動完成。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于無錫華潤上華半導體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司，未經無錫華潤上華半導體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110143790.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
