[發明專利]金屬導電結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201110141905.7
• 申請日: 2011-05-30
• 公開（公告）號: CN102214616A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發明（設計）人: 王志豪;黃柏輔;李俊右
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

技術領域

本發明涉及一種金屬導電結構及其制作方法，尤其是涉及一種使用于玻璃覆晶(chip?on?glass，COG)技術的金屬導電結構及其制作方法。

背景技術

玻璃覆晶(chip?on?glass，COG)技術是指將芯片直接與玻璃基板上的連接墊接合的技術，而由于COG技術具有低成本的優勢，因此目前已廣泛地應用在顯示面板的芯片接合制作上。目前COG技術主要使用異方性導電膠(ACF)，將芯片粘貼于玻璃基板上，并以其中的導電粒子作為芯片上的金屬凸塊與玻璃基板的連接墊的電連接橋梁。

請參考圖1，圖1為現有將具有金屬凸塊的芯片接合至具有連接墊的玻璃基板的示意圖。如圖1所示，芯片10的焊墊12上分別形成有一金屬凸塊14，且金屬凸塊14是由金所構成。并且，玻璃基板16上已形成有連接墊18，且連接墊18的位置是對應于焊墊12的位置。在進行金屬凸塊14與連接墊18的接合制作工藝時，先在玻璃基板16上涂布異方性導電膠20，然后將金屬凸塊14是對位于相對應的連接墊18上，并將金屬凸塊14向下壓合于連接墊18上，使異方性導電膠20中的導電粒子22可電連接金屬凸塊14與連接墊18。

然而，在線路布局的密度不斷提升的狀況下，芯片上的焊墊間的距離越來越小，使金屬凸塊的間距也隨之縮小，并且玻璃基板上相對應的連接墊的間距也會縮小。因此，存在于異方性導電膠中的導電粒子會因為金屬凸塊的間距縮小而彼此更靠近，使得導電粒子可作為相鄰金屬凸塊的電連接橋梁，進而造成金屬凸塊短路的問題。并且，金屬凸塊與所欲接合的連接墊上更存在一定的對位誤差，因此于芯片與玻璃基板接合后，金屬凸塊與相鄰連接墊的距離更是小于金屬凸塊的間距，使得導電粒子更容易作為金屬凸塊與相鄰連接墊的電連接橋梁，而造成短路問題。

有鑒于此，防止因異方性導電膠中的導電粒子產生橫向連結所造成的短路問題實為業界努力的目標。

發明內容

本發明的主要目的的一在于提供一種金屬導電結構及其制作方法，以解決因異方性導電膠中的導電粒子產生橫向連結所造成的短路問題。

為達上述的目的，本發明提供一種金屬導電結構。金屬導電結構包含一載體、一導電層、一第一金屬、一第二金屬以及一絕緣層。導電層位于載體上，且第一金屬設于導電層上，其中第一金屬具有一上表面與一側壁，且第一金屬的氧化電位大于或等于銅的氧化電位。第二金屬設于第一金屬的上表面，且第二金屬的氧化電位小于或等于銀的氧化電位。絕緣層覆蓋第一金屬的側壁，且絕緣層包含有第一金屬的一氧化物。

為達上述的目的，本發明提供一種金屬導電結構的制作方法。首先，形成一第一金屬于一載體上，第一金屬具有一上表面與一側壁，且上表面具有一凹槽，其中第一金屬的氧化電位大于或等于銅的氧化電位。然后，形成一第二金屬于第一金屬的上表面，且第二金屬填滿凹槽，其中第二金屬的氧化電位小于或等于銀的氧化電位。接著，移除位于凹槽外的第二金屬。隨后，實施一氧化步驟，以于第一金屬的側壁形成一絕緣層。

本發明是于導電層上先形成氧化電位大于或等于銅的氧化電位的第一金屬，再在第一金屬未被氧化之前形成氧化電位小于或等于銀的氧化電位的第二金屬，使第二金屬可通過第一金屬電連接至導電層，同時可利用第一金屬具有容易氧化的特性于第一金屬的裸露表面形成絕緣層，以避免于進行芯片與基板接合制作工藝時因異方性導電膠中的導電粒子產生橫向連結而造成短路。

附圖說明

圖1為現有將具有金屬凸塊的芯片接合至具有連接墊的玻璃基板的示意圖；

圖2至圖9為本發明制作金屬凸塊結構的方法示意圖。

主要元件符號說明

10????????芯片????12????????焊墊

14??????????金屬凸塊??????????16??????玻璃基板

18??????????連接墊????????????20??????異方性導電膠

22??????????導電粒子??????????100?????金屬凸塊結構

102?????????載體??????????????106?????導電層

108?????????保護層????????????108a????第一穿孔

110?????????緩沖金屬層????????110a????第一凹槽

112?????????圖案化光致抗蝕????112a????第二穿孔

劑層

114?????????第一金屬??????????114a????上表面