[發(fā)明專利]金屬導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110141905.7
• 申請(qǐng)日: 2011-05-30
• 公開（公告）號(hào): CN102214616A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王志豪;黃柏輔;李俊右
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 友達(dá)光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/00
• 分類號(hào): H01L23/00;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種金屬導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，包含：

載體；

導(dǎo)電層，位于該載體上；

第一金屬，設(shè)于該導(dǎo)電層上，其中該第一金屬具有上表面與側(cè)壁，且該第一金屬的氧化電位大于或等于銅的氧化電位；

第二金屬，設(shè)于該第一金屬的該上表面，且該第二金屬的氧化電位小于或等于銀的氧化電位；以及

絕緣層，覆蓋該第一金屬的該側(cè)壁，且該絕緣層包含有該第一金屬的一氧化物。

2.如權(quán)利要求1所述的金屬導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中該第一金屬的該上表面具有一凹槽，且該第二金屬填滿該凹槽。

3.如權(quán)利要求2所述的金屬導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中該絕緣層延伸至位于該凹槽外的該第一金屬的該上表面。

4.如權(quán)利要求1所述的金屬導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中該第一金屬包含鐵、銅、鈀、錳、鎳或上述的組合。

5.如權(quán)利要求1所述的金屬導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中該載體包含基板、電子元件或芯片。

6.如權(quán)利要求1所述的金屬導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中該第一金屬為多層結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求1所述的金屬導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中該第二金屬包含金、鉑或銀。

8.如權(quán)利要求1所述的金屬導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中該第二金屬的厚度小于一異方性導(dǎo)電膠(ACF)粒子直徑的80％。

9.如權(quán)利要求1所述的金屬導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中該第一金屬的硬度大于一異方性導(dǎo)電膠(ACF)粒子的硬度。

10.如權(quán)利要求1所述的金屬導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，另包含有一緩沖金屬層，設(shè)于該導(dǎo)電層與該第一金屬之間。

11.一種金屬導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的制作方法，包含有：

形成一第一金屬于一載體上，該第一金屬具有上表面與側(cè)壁，且該上表面具有一凹槽，其中該第一金屬的氧化電位大于或等于銅的氧化電位；

形成一第二金屬于該第一金屬上，且該第二金屬填滿該凹槽，其中該第二金屬的氧化電位小于或等于銀的氧化電位；

移除位于該凹槽外的該第二金屬；以及

實(shí)施一氧化步驟，以于該第一金屬的該側(cè)壁形成一絕緣層。

12.如權(quán)利要求11所述的制作方法，其中該絕緣層由氧化該第一金屬而成。

13.如權(quán)利要求11所述的制作方法，其中移除位于該凹槽外的該第二金屬的步驟是利用一研磨制作工藝。

14.如權(quán)利要求11所述的制作方法，其中形成該第一金屬的步驟與形成該第二金屬的步驟是分別利用一電鍍制作工藝。

15.如權(quán)利要求11所述的制作方法，其中于形成該第一金屬的步驟之前，該制作方法另包含有：

在該載體上形成一緩沖金屬層；以及

在該緩沖金屬層上形成一圖案化光致抗蝕劑層，且該圖案化光致抗蝕劑層具有一接觸洞，暴露出該緩沖金屬層。

16.如權(quán)利要求15所述的制作方法，其中于形成該第二金屬的步驟與移除位于該凹槽外的該第二金屬的步驟之間，該制作方法另包含有移除該圖案化光致抗蝕劑層。

17.如權(quán)利要求16所述的制作方法，其中于移除該圖案化光致抗蝕劑層的步驟之后，該制作方法另包含有移除未被該第一金屬覆蓋的該緩沖金屬層。