[發明專利]低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板及其制作方法

無效

• 申請號: 201110141242.9
• 申請日: 2011-05-27
• 公開（公告）號: CN102709284A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 馬占潔
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理事務所(普通合伙) 11270
• 代理人: 武晨燕;張穎玲

技術領域

本發明涉及薄膜晶體管(TFT)的制作技術，具體涉及一種低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS?TFT)陣列基板及其制作方法。

背景技術

由于非晶硅本身自有的缺陷問題，如缺陷態多導致的開態電流低、遷移率低、穩定性差等，使其在很多領域的應用受到限制。為了彌補非晶硅本身的缺陷，擴大相應產品在相關領域的應用，低溫多晶硅(LTPS，Low?Temperature?PloySilicon)技術就應運而生。

如圖1所示，傳統的LTPS?TFT陣列基板從下到上依次包括：基板10、緩沖(Buffer)層11、有源(A-Si)層12、絕緣層13、柵電極14、柵絕緣層15、源漏電極16、鈍化層17、像素電極(ITO)18及保護(Resin)層19。為了實現該LTPS?TFT陣列基板需要進行7次曝光，主要的制作步驟如下：

步驟1：在基板上沉積緩沖層及有源層，采用有源層掩模板(A-Si?Mask)形成有源層圖形，然后在有源層上沉積絕緣層；

步驟2：在完成步驟1處理后的基板上沉積柵電極金屬層(Gate?Metal)，采用柵電極掩模板(Gate?Mask)形成包括柵電極、柵線(圖中未示出)及公共電極線(圖中未示出)的金屬層圖形；

步驟3：在完成步驟2處理后的基板上沉積柵絕緣層，采用接觸孔掩模板(Contact?Hole?Mask)形成位于有源層上方的接觸孔，以用于源漏電極與有源層的連接；

步驟4：在完成步驟3處理后的基板上沉積數據線金屬層(Date?Metal)，采用源漏電極掩模板(S/D?Mask)形成包括源漏電極及數據線(圖中未示出)的金屬層圖形；

步驟5：在完成步驟4處理后的基板上沉積鈍化層，采用過孔掩模板(VIAHole?Mask)在鈍化層上形成過孔，以將像素電極與源漏電極橋接；

步驟6：在完成步驟5處理后的基板上沉積像素電極層，采用像素電極掩模板(ITO?Mask)形成包括像素電極的像素電極層圖形；

步驟7：在完成步驟6處理后的基板上沉積保護層，采用保護層掩模板(Resin?Mask)形成平坦化層。

上述LTPS?TFT陣列基板的制作工藝比較復雜，制作流程繁多，生產時間較長，造成其制作成本增加，難與非晶硅TFT產品進行競爭，且采用的掩模板(Mask)數量較多，生產中容易出現對合精度差的問題，不利于提高產品質量。

發明內容

有鑒于此，本發明的主要目的在于提供一種LTPS?TFT陣列基板及其制作方法，減少制作工藝中使用的掩模板數量，簡化制作流程，縮短生產時間，降低成本，提高產品質量。

為了達到上述目的，本發明提供一種低溫多晶硅薄膜晶體管LTPS?TFT陣列基板，所述LTPS?TFT陣列基板包括：基板、柵電極、柵絕緣層、有源層、源漏電極及像素電極；其中，

柵電極，形成于基板上方；

柵絕緣層，覆蓋于基板和柵電極上方；

有源層，形成于柵絕緣層對應柵電極的上方；

源漏電極，形成于有源層上方；

像素電極，形成于源漏電極和柵絕緣層上方。

進一步地，所述LTPS?TFT陣列基板還包括保護層，所述保護層形成于源漏電極、有源層、像素電極和柵絕緣層上方，并形成有位于像素電極上方的過孔。

進一步地，所述有源層和源漏電極通過一個掩模板經同一次光刻工藝得到。

進一步地，所述LTPS?TFT陣列基板還包括柵電極金屬層測試線和數據線金屬層測試線，所述柵絕緣層上形成有接觸孔，所述接觸孔內填充有源層，將柵電極金屬層測試線與數據線金屬層測試線橋接。

進一步地，所述LTPS?TFT陣列基板還包括柵電極金屬層測試線和數據線金屬層測試線，所述柵絕緣層上形成有接觸孔，所述接觸孔內填充像素電極材料，將柵電極金屬層測試線與數據線金屬層測試線橋接。

進一步地，所述LTPS?TFT陣列基板還包括緩沖層，所述緩沖層位于基板上方，柵電極以及柵絕緣層的下方。

為了達到上述目的，本發明還提供一種LTPS?TFT陣列基板的制作方法，所述方法包括：

步驟1、在基板上沉積柵電極金屬層，采用第一塊掩模板形成包含柵電極的金屬層圖形；

步驟2、在完成步驟1處理后的基板上沉積柵絕緣層，所述柵絕緣層覆蓋于基板及柵電極上方；