[發明專利]低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板及其制作方法

無效

• 申請號: 201110141242.9
• 申請日: 2011-05-27
• 公開（公告）號: CN102709284A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 馬占潔
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理事務所(普通合伙) 11270
• 代理人: 武晨燕;張穎玲

1.一種低溫多晶硅薄膜晶體管LTPS?TFT陣列基板，其特征在于，所述LTPSTFT陣列基板包括：基板、柵電極、柵絕緣層、有源層、源漏電極及像素電極；其中，

柵電極，形成于基板上方；

柵絕緣層，覆蓋于基板和柵電極上方；

有源層，形成于柵絕緣層對應柵電極的上方；

源漏電極，形成于有源層上方；

像素電極，形成于源漏電極和柵絕緣層上方。

2.如權利要求1所述的LTPS?TFT陣列基板，其特征在于，所述LTPS?TFT陣列基板還包括保護層，所述保護層形成于源漏電極、有源層、像素電極和柵絕緣層上方，并形成有位于像素電極上方的過孔。

3.如權利要求1所述的LTPS?TFT陣列基板，其特征在于，所述有源層和源漏電極通過一個掩模板經同一次光刻工藝得到。

4.如權利要求1所述的LTPS?TFT陣列基板，其特征在于，所述LTPS?TFT陣列基板還包括柵電極金屬層測試線和數據線金屬層測試線，所述柵絕緣層上形成有接觸孔，所述接觸孔內填充有源層，將柵電極金屬層測試線與數據線金屬層測試線橋接。

5.如權利要求1所述的LTPS?TFT陣列基板，其特征在于，所述LTPS?TFT陣列基板還包括柵電極金屬層測試線和數據線金屬層測試線，所述柵絕緣層上形成有接觸孔，所述接觸孔內填充像素電極材料，將柵電極金屬層測試線與數據線金屬層測試線橋接。

6.如權利要求1所述的LTPS?TFT陣列基板，其特征在于，所述LTPS?TFT陣列基板還包括緩沖層，所述緩沖層位于基板上方，柵電極以及柵絕緣層的下方。

7.一種LTPS?TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

步驟1、在基板上沉積柵電極金屬層，采用第一塊掩模板形成包含柵電極的金屬層圖形；

步驟2、在完成步驟1處理后的基板上沉積柵絕緣層，所述柵絕緣層覆蓋于基板及柵電極上方；

步驟3、在完成步驟2處理后的基板上依次形成多晶硅層和數據線金屬層，采用第三塊掩模板形成包括有源層及源漏電極的金屬層圖形，所述有源層位于柵絕緣層對應柵電極的上方，所述源漏電極位于有源層上方；

步驟4：在完成步驟3處理后的基板上沉積像素電極層，采用第四塊掩模板形成包括像素電極的像素電極層圖形，所述像素電極位于源漏電極和柵絕緣層上方。

8.如權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述方法還包括：

步驟5：在完成步驟4處理后的基板上沉積保護層，采用第五塊掩模板在保護層上形成過孔，所述過孔位于像素電極上方。

9.如權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述步驟1還包括：采用第一塊掩模板形成柵電極金屬層測試線；

所述步驟2還包括：采用第二塊掩模板在柵絕緣層上形成接觸孔；

所述步驟3還包括：采用第三塊掩模板形成數據線金屬層測試線，且步驟3中形成的有源層填充在接觸孔內，將柵電極金屬層測試線與數據線金屬層測試線橋接。

10.如權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述步驟1中還包括：采用第一塊掩模板形成柵電極金屬層測試線；

所述步驟2還包括：采用第二塊掩模板在柵絕緣層上形成接觸孔；

所述步驟3還包括：采用第三塊掩模板形成數據線金屬層測試線，且步驟4中形成的像素電極材料填充在接觸孔內，將柵電極金屬層測試線與數據線金屬層測試線橋接。

11.如權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述第三塊掩模板為半色調掩模板或灰色調掩模板。

12.如權利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述步驟1之前，所述方法還包括：在基板上沉積緩沖層。

13.如權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述步驟3中形成多晶硅層具體為：在完成步驟2處理后的基板上沉積非晶硅層，再利用結晶化方法使非晶硅結晶形成多晶硅。