[發明專利]發光裝置及投影儀

有效

• 申請號: 201110139359.3
• 申請日: 2011-05-19
• 公開（公告）號: CN102280549A
• 公開（公告）日: 2011-12-14
• 發明（設計）人: 望月理光
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/12;G03B21/14;G03B21/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李偉;閻文君

技術領域

本發明涉及發光裝置及投影儀。

背景技術

已知有如下的發光裝置：在基板上形成由III族氮化物半導體構成的發光層，從外部注入電流，在發光層內使電子與空穴復合而發光。這樣的發光裝置中，有時會在發光層與基板之間產生應變。特別是，在使用InGaN作為發光層、使用與InGaN不同的材料(例如GaN)作為基板的情況下，會在兩者之間產生晶格不匹配，因該晶格不匹配而使應變變大。一旦產生這樣的應變，就會對發光層施加由壓電效應所產成的電場(壓電電場)，從而使電子與空穴的發光再復合概率顯著地降低。

作為解決上述問題的方法，例如有如下的方法，即，如專利文獻1中記載的那樣，將III族氮化物半導體制成微細柱狀晶體結構，以緩解在發光層與基板之間產生的應變。

專利文獻1日本特開2008-169060號公報

但是，在專利文獻1中記載的技術中，由于微細柱狀晶體結構的側面是露出的，因此產生伴有側面附近的缺陷或雜質的非發光再復合，從而會有發光效率降低的情況。

發明內容

本發明的幾個方式的目的之一在于，提供一種發光效率高的發光裝置。另外，本發明的幾個方式的目的之一在于，提供一種具有上述發光裝置的投影儀。

本發明的發光裝置可以是，包括：

第一層，其具有第一面；

第二層，其具有與上述第一面對置的第二面；及

結構體，其被上述第一面和上述第二面夾持，

上述結構體具有第一微細壁狀構件、第二微細壁狀構件和半導體構件，

上述第一微細壁狀構件及上述第二微細壁狀構件具有：

第三層，其與上述第一面鄰接；

第四層，其與上述第二面鄰接；及

第五層，其被上述第三層與上述第四層夾持，

上述半導體構件被上述第一微細壁狀構件和上述第二微細壁狀構件夾持，

上述第一層及上述第二層的材質為GaN，

上述第三層、上述第四層、上述第五層及上述半導體構件的材質為In_xGa_1-xN(0＜x＜1)，

上述第五層的x的值比上述第三層的x的值、上述第四層的x的值及上述半導體構件的x的值大，

上述第五層是產生光并且傳導光的層，

上述第三層及上述第四層是傳導在上述第五層中產生的光的層，

上述第一層及上述第二層是抑制在上述第五層中產生的光的泄漏的層，

上述結構體具備：

第三面，其與上述第一面及上述第二面連接；及

第四面，其與上述第一面及上述第二面連接，并與上述第三面對置，

從上述第一面的垂線方向俯視上述第一微細壁狀構件及上述第二微細壁狀構件時，上述第一微細壁狀構件及上述第二微細壁狀構件被從上述第三面設置到上述第四面，

在上述第三面和上述第四面的至少一方被設有出射面，

上述第一微細壁狀構件和上述第二微細壁狀構件的至少一方與上述半導體構件構成上述出射面的至少一部分，

上述出射面射出在上述第五層中產生的光。

根據這樣的發光裝置，在第一微細壁狀構件與第二微細壁狀構件之間形成有半導體構件。由此，就可以抑制第一微細壁狀構件及第二微細壁狀構件的側面的非發光再復合。所以，在這樣的發光裝置中，可以緩解在基板與結構體之間產生的應變的同時，獲得高發光效率。反過來說，如果不形成這樣的半導體構件，微細壁狀構件的側面露出，則會產生與該側面附近的缺陷或雜質相伴的非發光再復合，從而會有發光效率降低的情況。

此外，在這樣的發光裝置中，半導體構件的材質為InGaN，第一微細壁狀構件及第二微細壁狀構件的材質例如為InGaN。由此，與在第一微細壁狀構件及第二微細壁狀構件之間形成例如由氧化硅或聚酰亞胺構成的絕緣構件的情況相比，可以使第一微細壁狀構件及第二微細壁狀構件與半導體構件的熱膨脹系數接近。所以，這樣的發光裝置中，例如即使因電流注入而放熱，也可以減小因熱膨脹而對結構體施加的應力，可以抑制由應力造成的發光效率的降低或壽命的降低。

本發明的發光裝置可以是，包括：

第一層，其具有第一面；

第二層，其具有與上述第一面對置的第二面；及

結構體，其被上述第一面和上述第二面夾持，

上述結構體具有第一微細壁狀構件、第二微細壁狀構件和半導體構件，

上述第一微細壁狀構件及上述第二微細壁狀構件具有：

第三層，其與上述第一面鄰接；