[發明專利]發光裝置及投影儀有效
| 申請號: | 201110139359.3 | 申請日: | 2011-05-19 |
| 公開(公告)號: | CN102280549A | 公開(公告)日: | 2011-12-14 |
| 發明(設計)人: | 望月理光 | 申請(專利權)人: | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號: | H01L33/20 | 分類號: | H01L33/20;H01L33/12;G03B21/14;G03B21/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 李偉;閻文君 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 裝置 投影儀 | ||
1.一種發光裝置,其特征在于,包括:
第一層,其具有第一面;
第二層,其具有與所述第一面對置的第二面;及
結構體,其被所述第一面和所述第二面夾持,
所述結構體具有第一微細壁狀構件、第二微細壁狀構件和半導體構件,
所述第一微細壁狀構件及所述第二微細壁狀構件具有:
第三層,其與所述第一面鄰接;
第四層,其與所述第二面鄰接;及
第五層,其被所述第三層與所述第四層夾持,
所述半導體構件被所述第一微細壁狀構件和所述第二微細壁狀構件夾持,
所述第一層及所述第二層的材質為GaN,
所述第三層、所述第四層、所述第五層及所述半導體構件的材質為InxGa1-xN,其中,0<x<1,
所述第五層的x的值比所述第三層的x的值、所述第四層的x的值及所述半導體構件的x的值大,
所述第五層是產生光并且傳導光的層,
所述第三層及所述第四層是傳導在所述第五層中產生的光的層,
所述第一層及所述第二層是抑制在所述第五層中產生的光的泄漏的層,
所述結構體具備:
第三面,其與所述第一面及所述第二面連接;及
第四面,其與所述第一面及所述第二面連接,并與所述第三面對置,
從所述第一面的垂線方向俯視所述第一微細壁狀構件及所述第二微細壁狀構件時,所述第一微細壁狀構件及所述第二微細壁狀構件被從所述第三面設置到所述第四面,
在所述第三面和所述第四面的至少一方被設有出射面,
所述第一微細壁狀構件和所述第二微細壁狀構件的至少一方與所述半導體構件構成所述出射面的至少一部分,
所述出射面射出在所述第五層中產生的光。
2.一種發光裝置,其特征在于,包括:
第一層,其具有第一面;
第二層,其具有與所述第一面對置的第二面;及
結構體,其被所述第一面和所述第二面夾持,
所述結構體具有第一微細壁狀構件、第二微細壁狀構件和半導體構件,
所述第一微細壁狀構件及所述第二微細壁狀構件具有:
第三層,其與所述第一面鄰接;
第四層,其與所述第二面鄰接;及
第五層,其被所述第三層與所述第四層夾持,
所述半導體構件被所述第一微細壁狀構件和所述第二微細壁狀構件夾持,
所述第一層及所述第二層的材質為AlGaN,
所述第三層及所述第四層的材質為GaN,
所述第五層及所述半導體構件的材質為InxGa1-xN,其中,0<x<1,
所述第五層的x的值比所述半導體構件的x的值大,
所述第五層是產生光并且傳導光的層,
所述第三層及所述第四層是傳導在所述第五層中產生的光的層,
所述第一層及所述第二層是抑制在所述第五層中產生的光的泄漏的層,
所述結構體具備:
第三面,其與所述第一面及所述第二面連接;及
第四面,其與所述第一面及所述第二面連接,并與所述第三面對置,
從所述第一面的垂線方向俯視所述第一微細壁狀構件及所述第二微細壁狀構件時,所述第一微細壁狀構件及所述第二微細壁狀構件被從所述第三面設置到所述第四面,
在所述第三面和所述第四面的至少一方被設有出射面,
所述第一微細壁狀構件和所述第二微細壁狀構件的至少一方與所述半導體構件構成所述出射面的至少一部分,
所述出射面射出在所述第五層中產生的光。
3.根據權利要求1所述的發光裝置,其特征在于,還包括:
第一電極,其與所述第一層電連接;
第二電極,其與所述第二層電連接;及
第六層,其被形成于所述第二層與所述第二電極之間,
所述第六層與所述第二電極進行歐姆接觸,
從所述第一面的垂線方向俯視所述第六層與所述第二電極的接觸面時,所述第六層與所述第二電極的接觸面被從所述第三面設置到所述第四面,
從所述第一面的垂線方向俯視所述第一微細壁狀構件和所述第二微細壁狀構件的至少一方時,所述第一微細壁狀構件和所述第二微細壁狀構件的至少一方在所述接觸面內被從所述第三面設置到所述第四面。
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