[發明專利]晶片封裝體及其形成方法

有效

• 申請號: 201110139233.6
• 申請日: 2011-05-26
• 公開（公告）號: CN102263117A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發明（設計）人: 邱新智;鄭家明;許傳進;樓百堯
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L31/0216;H01L33/48;H01L33/56;H01L33/00
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

技術領域

本發明有關于晶片封裝體，且特別是有關于光學感測晶片或發光晶片的封裝體。

背景技術

光感測元件或發光元件等光電元件在擷取影像或照明的應用中扮演著重要的角色，這些光電元件均已廣泛地應用于例如數字照相機(digital?camera)、數字攝攝像機(digital?video?recorder)、移動電話(mobile?phone)、太陽能電池、屏幕、照明設備等電子元件中。

隨著科技的演進，對于光感測元件的感測精準度或發光元件的發光精準度的需求亦隨之提高。

發明內容

本發明提供一種晶片封裝體，包括：一基底，具有一第一表面及一第二表面；一光學元件，設置于該第一表面上；一導電墊，設置于該第一表面上；一第一對準圖案，形成于該第一表面上；以及一遮光層，設置于該第二表面上，且具有一第二對準圖案，其中該第二對準圖案對應于該第一對準圖案。

本發明所述的晶片封裝體，還包括：一穿孔，自該第二表面朝該第一表面延伸；一絕緣層，形成于該穿孔的側壁上，且延伸至該基底的該第二表面上；以及一導電層，形成于該穿孔中的該絕緣層上，且延伸至該第二表面上的該絕緣層上，其中該導電層電性連接該導電墊。

本發明所述的晶片封裝體，該遮光層具有一側端，該側端與該穿孔隔有一間距。

本發明所述的晶片封裝體，該遮光層的該側端位于該光學元件與該穿孔之間。

本發明所述的晶片封裝體，該遮光層的該側端位于該導電墊在該第二表面上的正投影的范圍內。

本發明所述的晶片封裝體，該遮光層位于該基底與該絕緣層之間。

本發明所述的晶片封裝體，該遮光層具有一側端，該側端與該穿孔的側壁共平面。

本發明所述的晶片封裝體，還包括一透明基底，設置于該基底的該第一表面與該光學元件上。

本發明所述的晶片封裝體，該第一對準圖案形成于該基底的該第一表面上的一材料層中。

本發明所述的晶片封裝體，還包括：一保護層，設置于該基底的該第二表面；以及一導電凸塊，設置于該第二表面上，且該保護層部分圍繞該導電凸塊，該導電凸塊與該導電墊電性連接。

本發明提供一種晶片封裝體的形成方法，包括：提供一基底，具有一第一表面及一第二表面，該基底包括：一光學元件，設置于該第一表面上；以及一導電墊，設置于該第一表面上；于該基底的該第一表面上形成一第一對準圖案；于該基底的該第二表面上，對應該第一對準圖案而形成一第二對準圖案；以及于該基底的該第二表面上形成一遮光層，該遮光層順應性形成于該第二對準圖案上，因而該遮光層具有對應于該第二對準圖案的一第三對準圖案。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括：自該基底的該第二表面移除部分的該基底以形成朝該基底的該第一表面延伸的一穿孔；于該穿孔的側壁上及該基底的該第二表面上形成一絕緣層；以及于該穿孔中的該絕緣層上及該第二表面上的該絕緣層上形成一導電層，其中該導電層電性連接該導電墊。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，該穿孔與該第二對準圖案同時形成。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，該絕緣層在形成該遮光層之后形成。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，該遮光層在形成該穿孔之后形成。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括以該遮光層的該第三對準圖案為對準標記而將該遮光層圖案化，使該穿孔中不具有該遮光層，并使該遮光層的一側端與該穿孔隔有一間距。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，該遮光層在形成該穿孔之前形成。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括：以該遮光層的該第三對準圖案為對準標記而將該遮光層圖案化以形成一開口，該開口露出部分的該基底；以及以該遮光層為遮罩，自該開口所露出的該基底移除部分的該基底以形成自該第二表面朝該第一表面延伸的該穿孔。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括于該基底的該第一表面與該光學元件之上設置一透明基底。

本發明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括：于該基底的該第二表面上形成一保護層；以及于該第二表面上形成一導電凸塊，其中該保護層部分圍繞該導電凸塊，且該導電凸塊電性連接該導電墊。

本發明可使晶片封裝體的制程更為精準，并可提高晶片封裝體的良率。

附圖說明

圖1A至圖1E顯示根據本發明一實施例的晶片封裝體的制程剖面圖。

圖2A至圖2E顯示根據本發明一實施例的晶片封裝體的制程剖面圖。