[發(fā)明專利]晶片封裝體及其形成方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110139233.6 | 申請(qǐng)日： | 2011-05-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102263117A | 公開（公告）日： | 2011-11-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 邱新智;鄭家明;許傳進(jìn);樓百堯 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 精材科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/146 | 分類號(hào)： | H01L27/146;H01L31/0216;H01L33/48;H01L33/56;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶片 封裝 及其 形成 方法 | ||
1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括：
一基底，具有一第一表面及一第二表面；
一光學(xué)元件，設(shè)置于該第一表面上；
一導(dǎo)電墊，設(shè)置于該第一表面上；
一第一對(duì)準(zhǔn)圖案，形成于該第一表面上；以及
一遮光層，設(shè)置于該第二表面上，且具有一第二對(duì)準(zhǔn)圖案，其中該第二對(duì)準(zhǔn)圖案對(duì)應(yīng)于該第一對(duì)準(zhǔn)圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括：
一穿孔，自該第二表面朝該第一表面延伸；
一絕緣層，形成于該穿孔的側(cè)壁上，且延伸至該基底的該第二表面上；以及
一導(dǎo)電層，形成于該穿孔中的該絕緣層上，且延伸至該第二表面上的該絕緣層上，其中該導(dǎo)電層電性連接該導(dǎo)電墊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層具有一側(cè)端，該側(cè)端與該穿孔隔有一間距。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層的該側(cè)端位于該光學(xué)元件與該穿孔之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層的該側(cè)端位于該導(dǎo)電墊在該第二表面上的正投影的范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層位于該基底與該絕緣層之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片封裝體，其特征在于，該遮光層具有一側(cè)端，該側(cè)端與該穿孔的側(cè)壁共平面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一透明基底，設(shè)置于該基底的該第一表面與該光學(xué)元件之上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一對(duì)準(zhǔn)圖案形成于該基底的該第一表面上的一材料層中。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括：
一保護(hù)層，設(shè)置于該基底的該第二表面；以及
一導(dǎo)電凸塊，設(shè)置于該第二表面上，且該保護(hù)層部分圍繞該導(dǎo)電凸塊，該導(dǎo)電凸塊與該導(dǎo)電墊電性連接。
11.一種晶片封裝體的形成方法，其特征在于，包括：
提供一基底，具有一第一表面及一第二表面，該基底包括：一光學(xué)元件，設(shè)置于該第一表面上；以及一導(dǎo)電墊，設(shè)置于該第一表面上；
于該基底的該第一表面上形成一第一對(duì)準(zhǔn)圖案；
于該基底的該第二表面上，對(duì)應(yīng)該第一對(duì)準(zhǔn)圖案而形成一第二對(duì)準(zhǔn)圖案；以及
于該基底的該第二表面上形成一遮光層，該遮光層順應(yīng)性形成于該第二對(duì)準(zhǔn)圖案上，因而該遮光層具有對(duì)應(yīng)于該第二對(duì)準(zhǔn)圖案的一第三對(duì)準(zhǔn)圖案。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括：
自該基底的該第二表面移除部分的該基底以形成朝該基底的該第一表面延伸的一穿孔；
于該穿孔的側(cè)壁上及該基底的該第二表面上形成一絕緣層；以及
于該穿孔中的該絕緣層上及該第二表面上的該絕緣層上形成一導(dǎo)電層，其中該導(dǎo)電層電性連接該導(dǎo)電墊。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該穿孔與該第二對(duì)準(zhǔn)圖案同時(shí)形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該絕緣層在形成該遮光層之后形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該遮光層在形成該穿孔之后形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括以該遮光層的該第三對(duì)準(zhǔn)圖案為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記而將該遮光層圖案化，使該穿孔中不具有該遮光層，并使該遮光層的一側(cè)端與該穿孔隔有一間距。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該遮光層在形成該穿孔之前形成。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括：
以該遮光層的該第三對(duì)準(zhǔn)圖案為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記而將該遮光層圖案化以形成一開口，該開口露出部分的該基底；以及
以該遮光層為遮罩，自該開口所露出的該基底移除部分的該基底以形成自該第二表面朝該第一表面延伸的該穿孔。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
