[發(fā)明專利]一種空氣為側墻的圍柵硅納米線晶體管的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110139058.0
• 申請日: 2011-05-26
• 公開（公告）號: CN102214595A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發(fā)明（設計）人: 黃如;諸葛菁;樊捷聞;艾玉杰;王潤聲;黃欣
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/8238;B82B3/00
• 代理公司: 北京萬象新悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11360
• 代理人: 賈曉玲

1.一種以空氣為側墻的圍柵硅納米線晶體管的制備方法，其特征在于，在SOI襯底上制備，包括如下步驟：

1)隔離工藝；

2)淀積SiO₂、淀積SiN；

3)光刻定義溝道區(qū)和大源漏區(qū)；

4)通過刻蝕將光刻膠上的圖形轉移到SiN和SiO₂硬掩膜上；

5)淀積與Si有高刻蝕選擇比的材料A；

6)光刻定義Fin條；

7)通過刻蝕將光刻膠上的圖形轉移到材料A上，形成Fin和大源漏的硬掩膜；

8)以材料A和SiN為硬掩膜，刻蝕Si，形成Si?Fin條和大源漏；

9)淀積SiN；

10)刻蝕SiN，形成SiN側墻；

11)氧化，形成納米線；

12)濕法去除氧化層，形成懸空納米線；

13)形成柵氧化層；

14)淀積多晶硅；

15)光刻定義柵線條；

16)通過刻蝕將光刻膠上的圖形轉移到多晶硅上；

17)注入多晶硅和源漏；

18)濕法腐蝕SiN；

19)淀積SiO₂，形成空氣側墻；

20)退火激活雜質；

21)采用常規(guī)CMOS后端工藝完成后續(xù)流程，完成器件制備。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟1)采用硅島隔離或者硅的局部氧化隔離。

3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟2)、5)、9)、14)、19)采用的是化學氣相淀積方法。

4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟4)、7)、8)、16)采用的是各向異性干法刻蝕。

5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟10)采用的是各項異性干法刻蝕，要保證源漏上方仍然有SiN保留而不是全部被刻蝕掉。

6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟11)采用的是干氧氧化或氫氧合成氧化。

7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟12)采用的是氫氟酸去掉氧化層。

8.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟13)采用的是干氧氧化形成SiO₂介質層。

9.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟18)采用的是170℃濃磷酸去除SiN。