[發(fā)明專利]一種合成Ti3SiC2高純粉體的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110136554.0 | 申請日: | 2011-05-24 |
| 公開(公告)號: | CN102241514A | 公開(公告)日: | 2011-11-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 史曉亮;彭美超;章橋新;祝志偉;王莽;馮四平;秦海波 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢理工大學(xué) |
| 主分類號: | C04B35/515 | 分類號: | C04B35/515;C04B35/626 |
| 代理公司: | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人: | 唐萬榮 |
| 地址: | 430070 湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 合成 ti sub sic 高純 方法 | ||
1.?一種合成Ti3SiC2高純粉體的方法,其特征在于它包括如下步驟:
1)配料:以Ti粉、SiC粉和TiC粉為原料,Al粉為合成促進(jìn)劑,按Ti:SiC:TiC:Al=(4-4.1):(2-2.1):(1-1.1):(0.2-0.3)的摩爾比選取Ti粉、SiC粉、TiC粉和Al粉;將Ti粉、SiC粉、TiC粉和Al粉混合,得到混合料;
2)將所述混合料進(jìn)行濕磨、過篩、清洗后得到混合懸濁溶液;
3)將所述混合懸濁溶液靜置,倒去上層清液后真空干燥,得到預(yù)處理好的混合粉末;
4)將所述預(yù)處理好的混合粉末置于真空爐中,以15-20℃/分鐘的升溫速率將爐溫升到1250-1300℃,在真空度為1×10-3-1×10-2Pa條件下處理,保溫時間1-2小時,待爐溫降到室溫后,即制備出Ti3SiC2?高純粉體。
2.?如權(quán)利要求1所述的合成Ti3SiC2高純粉體的方法,其特征在于,步驟2)中的濕磨步驟是將混合料、酒精和鋼質(zhì)球磨球放在鋼質(zhì)球磨罐中,在球磨機(jī)中濕磨。
3.?如權(quán)利要求1或2所述的合成Ti3SiC2高純粉體的方法,其特征在于,步驟2)中的濕磨時間為2-5小時。
4.?如權(quán)利要求3所述的合成Ti3SiC2高純粉體的方法,其特征在于,所述球磨機(jī)的轉(zhuǎn)速為50-100轉(zhuǎn)/分鐘、球料質(zhì)量比為5:1。
5.?如權(quán)利要求1所述的合成Ti3SiC2高純粉體的方法,其特征在于,步驟3)中靜置時間為5-10分鐘。
6.?如權(quán)利要求1所述的合成Ti3SiC2高純粉體的方法,其特征在于,步驟3)中真空干燥的溫度為60-80℃。
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