[發(fā)明專(zhuān)利]一種太陽(yáng)能單晶硅片的清洗工藝

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110134322.1
• 申請(qǐng)日: 2011-05-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102231404A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 牛小群
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 浙江星宇能源科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/18
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/18;B08B3/00
• 代理公司: 杭州天正專(zhuān)利事務(wù)所有限公司 33201
• 代理人: 舒良

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能單晶硅片的清洗工藝。

背景技術(shù)

目前，太陽(yáng)能單晶硅片的清洗工藝的技術(shù)路線是：噴淋、脫膠、自來(lái)水漂洗、清洗劑超洗、純水漂洗、甩干烘干。這種工藝清洗出來(lái)的單晶硅片表面的化學(xué)物、金屬雜質(zhì)、酸堿殘留等過(guò)多，會(huì)使太陽(yáng)能硅片制絨時(shí)出現(xiàn)白斑，產(chǎn)生色差現(xiàn)象，降低電池片的轉(zhuǎn)換效率，甚至達(dá)不到電池片的技術(shù)要求，影響成品率及產(chǎn)品質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供能提高太陽(yáng)能硅片表面清潔度的一種太陽(yáng)能單晶硅片的清洗工藝。

本發(fā)明采取的技術(shù)方案是：一種太陽(yáng)能單晶硅片的清洗工藝，其特征在于將太陽(yáng)能單晶硅片依次經(jīng)過(guò)噴淋、脫膠、自來(lái)水漂洗、清洗劑超洗、純水漂洗工序，之后，先在離子水和氫氟酸的混合液中浸泡一定時(shí)間，再在離子水和雙氧水的混合液中浸泡一定時(shí)間，然后再次進(jìn)行純水漂洗，最后甩干烘干。

所述的氫氟酸在試劑級(jí)以上，離子水的電阻在15兆歐姆以上，雙氧水在分析純以上；

所述的離子水和氫氟酸的混合液按體積百分比為1∶0.4～0.6％混合；

所述的離子水和雙氧水的混合液按體積百分比為1∶0.4～0.6％混合；

所述的在離子水和氫氟酸的混合液中浸泡時(shí)間在3分鐘以上；

所述的在離子水和雙氧水的混合液中浸泡時(shí)間在3分鐘以上；

采用本發(fā)明，可以將太陽(yáng)能單晶硅片表面的化學(xué)物、金屬雜質(zhì)、酸堿殘留充分清洗去除，防止太陽(yáng)能單晶硅片制絨時(shí)出現(xiàn)白斑，產(chǎn)生色差現(xiàn)象，從而提高成品率和產(chǎn)品質(zhì)量。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。

本實(shí)施例按以下步驟進(jìn)行：

一、按常規(guī)將太陽(yáng)能單晶硅片依次經(jīng)過(guò)噴淋、脫膠、自來(lái)水漂洗、清洗劑超洗、純水漂洗工序；

二、將電阻在15兆歐姆以上的離子水和試劑級(jí)以上的氫氟酸，制成體積百分比為1∶0.4～0.6％的混合液，之后，把經(jīng)過(guò)步驟一后的太陽(yáng)能單晶硅片放入該混合液中浸泡3分鐘以上。

三、將電阻在15兆歐姆以上的離子水和分析純以上的雙氧水，制成體積百分比為1∶0.4～0.6％的混合液，之后，把經(jīng)過(guò)步驟二后的太陽(yáng)能單晶硅片放入該混合液中浸泡3分鐘以上。

四、將經(jīng)過(guò)步驟三的太陽(yáng)能單晶硅片再次按常規(guī)進(jìn)行純水漂洗，最后甩干烘干即可。