[發(fā)明專利]一種太陽(yáng)能單晶硅片的清洗工藝無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110134322.1 | 申請(qǐng)日： | 2011-05-20 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102231404A | 公開(kāi)（公告）日： | 2011-11-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 牛小群 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 浙江星宇能源科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/18 | 分類號(hào)： | H01L31/18;B08B3/00 |
| 代理公司： | 杭州天正專利事務(wù)所有限公司 33201 | 代理人： | 舒良 |
| 地址： | 324300 浙江省開(kāi)化*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 太陽(yáng)能 單晶硅 清洗 工藝 | ||
1.一種太陽(yáng)能單晶硅片的清洗工藝，其特征在于將太陽(yáng)能單晶硅片依次經(jīng)過(guò)噴淋、脫膠、自來(lái)水漂洗、清洗劑超洗、純水漂洗工序，之后，先在離子水和氫氟酸的混合液中浸泡一定時(shí)間，再在離子水和雙氧水的混合液中浸泡一定時(shí)間，然后再次進(jìn)行純水漂洗，最后甩干烘干。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽(yáng)能單晶硅片的清洗工藝，其特征在于氫氟酸在試劑級(jí)以上，離子水的電阻在15兆歐姆以上，雙氧水在分析純以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽(yáng)能單晶硅片的清洗工藝，其特征在于離子水和氫氟酸的混合液按體積百分比為1∶0.4～0.6％混合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽(yáng)能單晶硅片的清洗工藝，其特征在于離子水和雙氧水的混合液按體積百分比為1∶0.4～0.6％混合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽(yáng)能單晶硅片的清洗工藝，其特征在于在離子水和氫氟酸的混合液中浸泡時(shí)間在3分鐘以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽(yáng)能單晶硅片的清洗工藝，其特征在于在離子水和雙氧水的混合液中浸泡時(shí)間在3分鐘以上。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
