[發明專利]發光薄膜及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 201110133686.8
• 申請日: 2011-05-23
• 公開（公告）號: CN102796523A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;陳吉星;鐘鐵濤
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C09K11/79
• 分類號: C09K11/79;H01L33/00;C23C14/08;C23C14/34
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張全文

技術領域

本發明屬于發光物理材料和顯示技術領域，尤其涉及一種發光薄膜及其制備方法和應用。

背景技術

薄膜電致發光顯示器(TFELD)由于其主動發光、全固體化、耐沖擊、反應快、視角大、適用溫度寬、工序簡單等優點，已引起了廣泛的關注，且發展迅速。同傳統的由發光粉制成的顯示屏相比，發光薄膜在對比度、熱傳導、均勻性、與基底的附著性、釋氣速率等方面都顯示出較強的優越性。因此制備性能良好的發光薄膜有著十分重大的意義。

現有發光薄膜的制備方法包括激光誘導沉積等。這些方法除了其獨特優點之外，都存在工藝比較復雜、設備比較昂貴，所制備的發光薄膜發光強度不高等局限性。例如，韓國的W.Kang等人發表了一篇有關采用脈沖激光誘導法在石英玻璃片上沉積YVO₄:Eu發光薄膜的文章，該文中除所用YAG激光設備比較昂貴以外，工藝也比較復雜，其過程是先以Y₂O₃、Eu₂O₃和V₂O₅為原料，采用高溫固相反應法于1200℃燒結20h制成YVO₄:Eu發光粉，再把YVO₄:Eu發光粉冷壓成片，在1200℃燒結12h制成激光靶材，用激光轟擊靶材使之揮發然后沉積在石英玻璃片成膜，薄膜最后還需在500℃退火24h。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于克服現有技術之缺陷，提供一種結構和發光性能穩定、發光強度和發光效率高的發光薄膜。

以及，上述發光薄膜的制備方法和應用。

為了實現上述發明目的，本發明的技術方案如下：

一種發光薄膜，所述發光薄膜的分子表達式為Ba₃MgSi₂O₈:Fe³⁺，Ce⁴⁺，所述Fe³⁺的摩爾百分含量為0.004％～0.063％，所述Ce⁴⁺的摩爾百分含量為0.006％～0.047％。

以及，一種發光薄膜制備方法，包括如下步驟：

分別稱取BaO、MgO、SiO₂、Fe₂O₃和CeO₂，按質量百分比各組份分別為：所述BaO為20～30％、MgO為3～10％、Fe₂O₃為0.3～5％、CeO₂為1～8％，余量為SiO₂；

將所述BaO、MgO、SiO₂、Fe₂O₃和CeO₂混合，燒結、形成濺射靶材；

將所述濺射靶材利用磁控濺射形成薄膜，得到發光薄膜前體；

將所述發光薄膜前體進行退火處理，得到所述發光薄膜。

本發明進一步提供上述發光薄膜在陰極射線管或/和電致發光器件中的應用。

本發明發光薄膜以Ba₃MgSi₂O₈為基質，Fe³⁺、Ce⁴⁺摻雜在Ba₃MgSi₂O₈基質中，并共同作為激活元素和構成本發明發光薄膜的發光中心，有效的提高了該發光薄膜發光強度和發光效率。

本發明發光薄膜制備方法采用燒結的方法制備濺射靶材，并利用磁控濺射的方式制備而成，有效的提高了該發光薄膜的結構穩定性能，因而使得該發光薄膜的發光性能穩定，與此同時，該制備方法工序簡單，提高了生產效率，降低了生產成本，適于工業化生產。

附圖說明

圖1是本發明發光薄膜制備方法工藝流程圖；

圖2是本發明實施例1制備的發光薄膜的X射線衍射圖；

圖3是本發明實施例1制備的發光薄膜的光致發光的光譜圖；

圖4是含有實施例1中制備的發光薄膜的電致發光器件結構示意圖。

具體實施方式

為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。