[發明專利]發光薄膜及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 201110133686.8
• 申請日: 2011-05-23
• 公開（公告）號: CN102796523A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;陳吉星;鐘鐵濤
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C09K11/79
• 分類號: C09K11/79;H01L33/00;C23C14/08;C23C14/34
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張全文

1.一種發光薄膜，所述發光薄膜的分子表達式為Ba₃MgSi₂O₈:Fe³⁺，Ce⁴⁺，所述Fe³⁺的摩爾百分含量為0.004％～0.063％，所述Ce⁴⁺的摩爾百分含量為0.006％～0.047％。

2.如權利要求1所述的發光薄膜，其特征在于：所述Fe³⁺的摩爾百分含量為0.012～0.038％。

3.如權利要求1所述的發光薄膜，其特征在于：所述Ce⁴⁺的摩爾百分含量為0.015～0.040％。

4.如權利要求1所述的發光薄膜，其特征在于：所述Fe³⁺的摩爾百分含量為0.025％；所述Ce⁴⁺的摩爾百分含量為0.029％。

5.一種發光薄膜制備方法，包括如下步驟：

分別稱取BaO、MgO、SiO₂、Fe₂O₃和CeO₂，按質量百分比各組份分別為：所述BaO為20％～30％、MgO為3％～10％、Fe₂O₃為0.3％～5％、CeO₂為1％～8％，余量為SiO₂；

將所述BaO、MgO、SiO₂、Fe₂O₃和CeO₂混合，燒結、形成濺射靶材；

將所述濺射靶材利用磁控濺射形成薄膜，得到發光薄膜前體；

將所述發光薄膜前體進行退火處理，得到所述發光薄膜。

6.如權利要求5所述的發光薄膜制備方法，其特征在于：所述磁控濺射的工序為：

提供襯底；

將所述襯底與所述濺射靶材的間距調整為50mm～90mm，在真空度為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa、襯底溫度為350℃～750℃、含氫氣和惰性氣體混合的工作氣體流量為15sccm～30sccm、壓強0.2Pa～4.5Pa條件下進行磁控濺射。

7.如權利要求5所述的薄膜制備方法，其特征在于：所述燒結的溫度為900℃～1300℃，時間為2～5小時。

8.如權利要求5所述的薄膜制備方法，其特征在于：所述燒結的溫度為1200℃。

9.如權利要求5所述的薄膜制備方法，其特征在于：所述退火處理是將發光薄膜前體在真空度為0.1Pa～0.001Pa?Pa、溫度為500℃～800℃條件下處理1～3小時。

10.如權利要求1～4任一項所述的發光薄膜在陰極射線管或/和電致發光器件中的應用。